Inhaltsverzeichnis
Transcrição
Inhaltsverzeichnis
Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder Inhaltsverzeichnis • 1 Abkürzungsverzeichnis • 2 Abbildungsverzeichnis • 3 Tabellenverzeichnis • 4 Einleitung • 5 Grundlagen Speichertechnologien(5 Seiten) ♦ 5.1 Optische Speicher ♦ 5.2 Magnetische Speicher ♦ 5.3 Flash Speicher ♦ 5.4 Flüchtige Speicher • 6 Zukünftige Speichertechnologien (15 Seiten) ♦ 6.1 Optische Speicher ◊ 6.1.1 Digital Multilayer Disc ◊ 6.1.2 Versatile Multilayer Disc ◊ 6.1.3 Holografische Speicher ⋅ 6.1.3.1 Geschichte der holografischen Speicher ⋅ 6.1.3.2 Allgemeine Technik von holografischen Speichern ⋅ 6.1.3.3 Holographic Data Storage System ⋅ 6.1.3.4 Holographic Versatile Disc ◊ 6.1.4 Protein-coated disc ♦ 6.2 Magnetische Speicher ◊ 6.2.1 Klassische Festplatten ◊ 6.2.2 Hybride Festplatten ◊ 6.2.3 Racetrack-Speicher ♦ 6.3 Flash Speicher ◊ 6.3.1 Solid State Drive ◊ 6.3.2 Secure Digital Extended Capacity ♦ 6.4 Flüchtige Speicher / Zwischenspeicher ◊ 6.4.1 Arbeitsspeicher ⋅ 6.4.1.1 Extreme Data Rate Dynamic Random Access Memory ⋅ 6.4.1.2 Double Data Rate 3 ⋅ 6.4.1.3 Ferroelectric Random Access Memory ⋅ 6.4.1.4 Magnetoresistive Random Access Memory ◊ 6.4.2 Cache ⋅ 6.4.2.1 Smart Memory ⋅ 6.4.2.2 Embedded Dynamic Random Access Memory • 7 Anwendungsfelder ♦ 7.1 Datensicherung und Archivierung ♦ 7.2 Unterhaltung ◊ 7.2.1 Filme Inhaltsverzeichnis 1 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder ◊ 7.2.2 Spiele ♦ 7.3 IT-Systeme • 8 Schlussbetrachtung • 9 Fußnoten • 10 Quellenverzeichnis 1 Abkürzungsverzeichnis Abkürzung 1T1MTJ CCD CD CPU DIMM DDR DMD DRAM DVD EEPROM FRAM FeRAM GB GHz HDD HDDS HD-DVD HSDF HVD IBM IDE ISI JEDEC LCD MBit o. V. MRAM nm NME PCD RAM s Bedeutung 1-Transistor 1-Magnectic-Tunnel-Junction Charge-coupled Device Compact Disc Central Processor Unit Dual-in-Line Memory Module Double Data Rate Digital Multilayer Disc Dynamic Random Access Memory Digital Versatile Disc Elecrtically Erasable Programmable Read Only Memory Ferroelectric Random Access Memory siehe FRAM Gigabyte Gigaherz Hard Disc Drive Holographic Data Storage System High Density Digital Versatile Disc Holographic System Development Forum Holographic Versatile Disc International Business Machines Integrated Device Electronics Information Sciences Institute Joint Electronic Devices Engineering Council Liquid Crystal Display Megabit ohne Verfasserangaben Magnetoresistive Random Access Memory Nanometer New Media Enterprises Protein-coated Disc Random Access Memory Sekunde 1 Abkürzungsverzeichnis 2 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder S-ATA SDR SDRAM SDXC SLM SRAM SRAM SSD TB UDO US USB WORM V VMD XDR DRAM Serial-Advanced Technology Attachment Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory Secure Digital Extended Capacity Spartial Light Modulator Static Random Access Memory Static Random Access Memory Solid State Disc Terabyte Ultra-Density-Optical United States Universal Serial Bus Write once read mutliple Volt Versatile Multilayer Disc Extreme Data Rate Dynamic Random Access Memory 2 Abbildungsverzeichnis Abb.-Nr. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 Abbildung Überblick über die behandelten Speichertechnologien dieser Fallstudie Schematische Darstellung der Struktur eines optischen Speichers (CD-ROM) Schematische Darstellung: Lesen der Daten von einem optischen Medium (CD) Schematische Seitenansicht einer Festplatte Flughöhe des Lese-/Schreibkopfes einer Festplatte Transistortechnik Corsair 2 GB DDR2 SDRAM DIMM Modul Drei Arten, einen 96 Bit-Speicher zu organisieren Technik des 3D optical storage system Eine holografische Disk von General Electrics Das tapestry? 300r Laufwerk der Firma InPhase Die tapestry? 300r Disk der Firma InPhase HVD-Logo Eine HVD ohne Ummantelung Ansichten: HVD(links) und DVD-R(rechts) Struktur einer HVD Struktur des Bacteriorhodopsin Kapazitätsentwicklung 1984 ? 2004 Struktur einer Hybrid-Festplatte Racetrack Schreib-/Leseverfahren Solid State Disc 2 Abbildungsverzeichnis 3 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder 22 23 24 25 26 27 28 29 30 Struktur einer Hybrid-Festplatte 512 MBit XDR DRAM von Toshiba XDIMM mit 32 Bit Busbreite Corsair 2 GB DDR3 SDRAM DIMM Modul Einkerbung von DDR2 und DDR3 Blei-Zirkonium-Titanat in einem von zwei stabilen Zuständen Aufbau einer MRAM Bitzelle Matrix gekreuzter Leiterbahnen mit MRAM Zellen als Informationsträger eDRAM Zelle von IBM 3 Tabellenverzeichnis Tabelle Nr. 1 2 3 4 Quelle Unterschiede zwischen CD und DVD Vergleich unterschiedlicher optischer Speicher Abhängigkeit der verwendeten Adressbits zur Speicherkapazität DR-SDRAM und die Höhe des Prefetches 4 Einleitung Abbildung 1: Überblick über die behandelten Speichertechnologien dieser Fallstudie Im Rahmen dieser Fallstudie werden die zukünftigen Speichertechnologien vorgestellt. Es wird untersucht welche dieser vielen neuen Speichertechnologien sich durchsetzen bzw. welche dieser Technologien bald auf dem Markt zu erwarten sind. Die Technologien werden auf der technischen Ebende erläutert und auf Zukunftserwartungen analysiert. Diese Arbeit gibt einen Überblick über verschiedene Arten des Speichers. (Optische, magnetische, flash und flüchtige Speicher) In Abbildung 1 sind diese vier Speicherarten, die auf Zukunftserwartungen untersucht werden, aufgeführt. Zudem wird herausgearbeitet welche Speichertechnologien auf dem Markt eine Chance haben werden und gegebenenfalls andere Technologien vom Markt verdrängen. Die Hauptkriterien für eine solche Beurteilung sind Leistung, Komplexität, Kapazität und Kosten[1]. Durch die hohen Kosten die durch eine Neuentwicklung von Speichern entstehen, werden Vorhandene vorerst immer weiter ausgereizt. Trotzdem arbeiten Forschungsteams an neuen Technologien um sich auf eine Zukunft mit sehr großen Datenmengen vorzubereiten[2]. Zum Anfang der Arbeit werden die Funktionsweisen der einzelnen Speicherarten erklärt. Anschließend werden Zukunftsbetrachtungen der populärsten Entwicklungen dargestellt und zukünftige Anwendungsfälle vorgestellt. 3 Tabellenverzeichnis 4 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder 5 Grundlagen Speichertechnologien(5 Seiten) 5.1 Optische Speicher Einer der ersten optischen Speicher war die CD, die 1980 als Datenträger für die Musikindustrie eingeführt wurde.[3] Die CD sollte die klassischen Disketten ablösen, da man mit fortschreitender Technik höhere Speicherkapazitäten benötigte. Ein weiterer Grund war der Umstieg von einer physischen Abtastung der Daten zu einer optischen Abtastung durch einen Laser. Datenträger mit aufliegenden Leseköpfen sowie magnetische Speicher (z.B. Disketten) waren, wegen ihrer geringeren Haltbarkeit, ungeeignet für eine dauerhafte Sicherung der Daten. Was den Umstiegswillen weiter voran trieb. Seit damals hat sich die Form der optischen Speicher garnicht, oder höchstens geringfügig verändert. Die alte Form der CD wurde in der Regel beibehalten und findet sich z.B. bei DVD oder Blu-ray Disc, sowie diversen anderen modernen Speichern wieder. Ein Standarddatenträger ist 1,2mm dick und hat einen Durchmesser von 12 cm. Zum Speichern der Daten wird eine reflektierende Aluminiumschicht im Inneren der Polycarbonatscheibe verwendet.[3] Entnommen aus: das ELKO Abbildung 2: Schematische Darstellung der Struktur eines optischen Speichers (CD-ROM). Die Daten selbst werden durch so genannte Pits(Täler) und Lands in einer spiralförmigen Spur von innen nach außen gespeichert, wobei die Pits Vertiefungen in der Datenschicht sind, Lands sind die Zwischenräume zwischen den Vertiefungen.[3] Bei der klassischen CD waren die Pits etwa 0,2 µm tief, etwa 0,9 µm lang und etwa 0,6 µm breit,[3] bei neueren Formaten variiert dies jedoch, so können sich unterschiedliche Spurabstände und Pitlängen finden lassen, wodurch die Speicherkapazität varriiert. In der Regel wird hierfür auch ein Laser mit einer anderen Wellenlänge benötigt. Hier eine Tabelle zum Vergleich von CDs und DVDs: Tabelle 1: Unterschiede zwischen CD und DVD CD Dicke 1,2 mm Durchmesser 12 cm Ausleseseiten 1 Schichten pro Seite 1 Lesegeschwindigkeit 1,2 m/s Spurabstand 1,6 µm Kleinste Pitlänge 0,833 µm Relfektionsgrad min. 70% DVD Single-Layer 2x 0,6 mm 12 cm 1 oder 2 1 3,49 m/s 0,74 µm 0,4 µm 45 - 85% 5 Grundlagen Speichertechnologien(5 Seiten) DVD Double-Layer 2x 0,6 mm 12 cm 1 oder 2 2 kB 3,84 m/s 0,74 µm 0,44 µm 18 - 30% 5 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder Laserwellenlänge 780 nm Quelle: das ELKO 635/650 nm 635/650 nm Entnommen aus: das ELKO Abbildung 3: Schematische Darstellung: Lesen der Daten von einem optischen Medium (CD) Für eine bessere Datenstrukturierung ist die CD in so genannte Track und Sektoren unterteilt.[3] Ein Track beinhaltet in der Regel mehrere Sektoren, wovon jeder Sektor einen eigenen Zeitcode hat. Für eine Datennutzung mussten jedoch noch zusätzliche Header und ein Dateisystem eingeführt werden.[3] Ausgelesen werden die Daten mit einem Laser, der die Schutzschicht durchdringt und auf die reflektierende Aluminiumdatenschicht strahlt. Bei einem Wechsel zwischen Pits und Lands wird der Laserstrahl leicht abgelenkt, was wiederum von einer Fotozelle im Lesegerät registriert wird und eine geringe elektrische Spannung erzeugt. Diese Spannungswechsel werden schließlich in, für den Computer verständliche Nullen und Einsen umgewandelt.[3] Bis zur Blu-ray Disk hat sich an diesem Verfahren lediglich die Größe der Struktur und die Wellenlänge der Laser verändert. Je kleinere Strukturen möglich sind, desto mehr Daten passen auf eine Scheibe von gleicher Größe wie eine CD. Vergleich zwischen Datenträgern, Übertragungsraten und Speicherkapazität: Tabelle 2: Vergleich unterschiedlicher optischer Speicher CD DVD Datenrate 1,2288 Mbit/s 11,08 Mbit/s Blu-ray Disk SL: 23,3/25/27 GB DL: 50 GB ML: 400 GB 36-54 Mbit/s Speicherkapazität 0,68-1 GB (SL/DL) 4,7/8,5 GB Spurweite 1,6 µm 0,74 µm 0,32 µm 635 / 650 nm 405 nm 405 nm Rot Violett Violett Laserwellenlänge 780 nm Laserfarbe Infrarot 5.1 Optische Speicher HD-DVD ROM/R: 15/30/51 GB RW: 20/32 GB 36,55 Mbit/s Lead In/Out: 0,68 ?m ROM/R Data Zone: 0,40 ?m RW Data Zone: 0,34 ?m HVD 300 GB, geplant 3,9 TB 1 Gbit/s n/A 650 nm und 532 nm Rot und Grün 6 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder Quellen: das ELKO: CD-ROM, DVD, Blu-ray Disk, HD-DVD; HVD-World.de Anders ist die Technik jedoch bei moderneren holographischen Speichern. Da hier jedoch unterschiedlichste Techniken verwendet werden, werden diese später in den jeweiligen Kapiteln genauer erläutert. 5.2 Magnetische Speicher Die Technologie der magentischen Speichermedien wird hier an Hand der klassischen Festplatte erläutert. Eine Festplatte besteht aus bis zu 12 runden Platten aus Metall, welches meistens Aluminium oder eine Legierung davon ist. Diese Platten rotieren um die eigene Achse. Auf einer Seite jeder Platte befindet sich ein Lese-/Schreibkopf der auf einem Luftpolster über der Platte schwebt. Die Lese-/Schreibkopfe werden über einen einzigen Arm gesteuert. Das bedeutet, dass die Position der Köpfe auf den Platten immer die gleiche ist. Auf der Abbildung 4 ist eine schematische Seitenansicht des Plattenstapels zu sehen. Entnommen aus: Becker; Technische Informatik; 2005; S. 284 Abbildung 4: Schematische Seitenansicht einer Festplatte Die Lese-/Schreibköpfe schweben - wie bereits angedeutet - auf einem Luftpolster über den Platten. Der Abstand zwischen Platte und Kopf beträgt 15nm. Eine Verunreinigung der Platten durch Staub o.Ä. würde zu einem Defekt der Festplatte führen. Um eine bildliche Vorstellung des Abstandes zu bekommen, zeigt die Abbildung 5 einen Vergleich zur Größe eines Staubkorns und einem Haar. Entnommen aus: Becker; Technische Informatik; 2005; S. 285 Abbildung 5: Flughöhe des Lese-/Schreibkopfes einer Festplatte 5.2 Magnetische Speicher 7 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder Jede Platte besteht aus konzentrischen Kreisen. Diese Kreise sind in Sektoren unterteilt die meist 512KByte speichern können. Daten werden so mit der Nummer der Plattenoberfläche und Sektornummer adressiert. Das Speichern der Daten erfolgt nun durch Magnetiesierung kleinster Flächen einer permablen Schicht ferromagnetischen Materials. Durch das Magnetisieren wird die Polarität manipuliert. Nun werden auf Basis der Polarität, die elektronischen binären Signale (0 und 1) interpretiert, mit denen das Betriebssystem arbeiten kann. Dies ist die Grundidee magnetischer Speichermedien. Die Kapazität einer Festplatte ist also abhängig von der Dichte der ferromagnetischen Flächen, je Dichter diese aneinander liegen je mehr Informationen können auf einer Platte gespeichert werden. Die Geschwindigkeit des Lesens und Schreibens ist abhängig von der Umdrehungsgeschwindigkeit der Platten und der Positionierungsgeschwindigkeit der Köpfe. Hinzu kommt noch ein Zwischenspeicher, der für einen kontinuierlichen Datenfluss verantwortlich ist[4]. 5.3 Flash Speicher Flash-Speicher wird als EEPROM bezeichnet. Der mechanische Zugriff auf Daten wird zunehmend durch Halbleitertechnik abgelöst. Ein Halbleiter ist ein Transistor der Aufgrund seiner elektrischen Leitfähigkeit als Leiter aber auch als nicht Leiter agieren kann. In der Abbildung 6 ist eine dünne Stelle zwischen dem schwebenden Gate und der N+ dotierten Drainzone zu sehen, die eine Dicke von 10nm aufweist. Durch das Anlegen eines elektrischen Feldes zwischen Gate und Drain können Elektronen duch diese Schicht fließen. Je nach Polarität des Feldes fließen die Elektronen auf das schwebende Gate oder werden von diesem abfließen. Aus diesen zwei unterschiedlichen Zuständen wird ein binärer Zustand generiert, der 0 oder 1 ist. Durch die geringe Dicke der Schicht zwischen Gate und Drain ist keine erhöhte Programmierspannung mehr erforderlich und ermöglicht ein nicht sehr aufwändiges Lese- und Schreibverfahren. Entnommen aus: Borgmeyer; Grundlagen der Digitaltechnik; 1997; S. 227 Abbildung 6: Transistortechnik Die Kapazität eines Flash-Speichers ist also abhängig von der Anzahl an Transistoren. Die Anzahl der Zugriffe ist derzeit auf ca. eine Millionen beschränkt[5]. 5.3 Flash Speicher 8 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder 5.4 Flüchtige Speicher Entnommen aus: Corsair Abbildung 7: Corsair 2 GB DDR2 SDRAM DIMM Modul Die Daten und Programme eines Rechners werden in einem Hauptspeicher oder Arbeitsspeicher hinterlegt. Dabei bearbeiten die Programme die Daten. Folglich ändern sich die Daten ständig. Beim Arbeitsspeicher handelt es sich um einen flüchtigen beziehungsweise einen nicht permanenten Speicher. Nachdem die Stromversorgung des Arbeitsspeichers unterbrochen wird, geht auch in der Regel der gespeicherte Inhalt verloren. Beim nächsten anschalten werden alle Bits auf 0 gesetzt[6]. Der Arbeitsspeicher wird auch RAM (Random Access Memory) genannt, welches soviel wie direkter Speicherzugriff bedeutet. Im Gegensatz zum blockweisen (Festplatte) und sequenziellen (Magnetband) Zugriff wird beim Arbeitsspeicher direkt auf eine Zelle zugegriffen[7]. Ein Arbeitsspeicher ist auf der nebenstehenden Abbildung 7 aufgeführt. Entnommen aus: Tanenbaum (2006), Seite 88 Abbildung 8: Drei Arten, einen 96 Bit-Speicher zu organisieren Der Speicher besteht aus einer Reihe von Zellen die Informationen aufnehmen können. Jede Zelle wird mit 0 bis n − 1 nummeriert. Die Nummern stehen für die Adressen der Zellen, auf dem die Computerprogramme zugreifen können. Die Zelle besitzt eine feste Bitanzahl, die 2k Bits enthalten kann. Benachbarte Zellen haben aufeinandere folgende Adressen[8]. Der Zusammenhang zwischen der Adresse, die Zelle sowie die Bitanzahl der Zelle wird durch die nebenstehende Abbildung 8 veranschaulicht. Die Rechner, die das binäre Zahlensystem verwenden, drücken auch die Adressen in Binärzahlen aus. Besteht also eine Adresse aus m Bits so können maximal 2m Zellen adressiert werden. Folglich ist die maximale Anzahl an Zellen nicht von der Bitanzahl der Zelle selber sondern von der Bitanzahl der Adresse abhängig. Nach der Abbildung 8 (a) wird die für Adressierung der Zelle vier Bits benötigt (24 = 16) während (b) und (c) auch mit drei Bits (23 = 8) angesprochen werden können. Je größer also die Bitanzahl der Adresse ist desto größer ist die maximale Speicherkapazität[9]. Folgende Tabelle gibt einen Überblick über die Abhängigkeit zwischen Adressgröße und Speicherkapazität: Tabelle 3: Abhängigkeit der verwendeten Adressbits zur Speicherkapazität Adressbits 16 max. Speicherkapazität 64 kB 5.4 Flüchtige Speicher 9 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder 20 24 32 64 Quelle: Gumm (2006), Seite 45 1 MB 16 MB 4 GB 16 ExaByte Die Zelle ist die kleinste adressierbare Einheit. Rechner, die mehrere Zellen zusammenfassen, können sogenannte Wörter bilden, die direkt angesprochen werden. Ein Rechner mit einer 32 Bit Architektur besitzt 4 Byte pro Wort und die 64 Bit Architekturen 8 Byte pro Wort. Meistens wird ein Wort bei der Operation von ganzen Wörtern verwendet, wie zum Beispiel bei der Addition von zwei Wörtern[10], die jeweils eine Integerzahl sein kann. Man unterscheidet zwei Typen von Speicherzellen. Das sind die dynamischen Speicherzellen DRAM (Dynamic Random Access Memory) und die statischen Speicherzellen SRAMs (Static Random Access Memory). SRAM-Speicherzellen sind mit Zugriffzeiten von bis zu 0,5 ns mit einem Faktor von bis zu 80 schneller als DRAM-Speicherzellen. Dagegen ist der Aufbau der SRAM-Speicherzelle komplexer aufgebaut als die DRAM-Speicherzelle. Folglich werden SRAM-Speicherzellen dort eingesetzt, wo die Zugriffzeit eine wichtige Rolle spielt, wie zum Beispiel beim Register oder Cache eines Prozessors. Die DRAM-Speicherzellen werden eher im Hauptspeicher verwendung finden[11]. Der Cache-Speicher befindet sich logisch zwischen der CPU (Central Processor Unit) und dem Hauptspeicher. Er dient dazu die Performancelücke zwischen dem vergleichsweise langsamen Hauptspeicher und der CPU zu überbrücken. Deshalb ist der Cache im Gegensatz zum Hauptspeicher wesentlich kleiner und schneller. Die grundlegende Idee besteht darin im Cache eine geeignete Auswahl an Kopien der Daten aus dem Hauptspeicher bereit zu stellen. Damit wird der Zugriff auf den langsamen Hauptspeicher umgangen beziehungsweise wird durch den Cache ersetzt. Um die Idee umsetzen zu können, muss die Frage beantwortet werden welche Daten des Hauptspeichers in den Cache kopiert werden beziehungsweise welche Daten die CPU als nächstes benötigen wird. In der Praxis ist dies nicht immer möglich. Man beschränkt sich darauf möglichst häufig die richtige vorhersage zu treffen. Das geläufige Konzept zur Lösung des Problems basiert auf das Lokalitätsprinzip. Es besagt, dass im Rahmen eines Programmablaufs bestimmte Zeitpunkte existieren auf dem bevorzugt und wiederholt zugegriffen wird. Dieser Bereich sowie der naheliegende Adressbereich im Hauptspeicher werden in den Cache geladen. Ein Beispiel einer solchen Verarbeitung wären Schleifen und Arrays. Folglich kopiert man nicht die Daten in den Cache die gerade verwendet werden sondern ganze Blöcke aus dem Arbeitsspeicher. Dasselbe gilt auf für Daten auf den häufig zugegriffen wird.[12]. 6 Zukünftige Speichertechnologien (15 Seiten) 6.1 Optische Speicher 6.1.1 Digital Multilayer Disc Die Digital Multilayer Disk ist ein neues optisches Speichermedium, das derzeit von der D Data Inc. Entwickelt wird. Basis für dieses neue Format ist die 3D optical data storage Technologie. Eine Technologie, die ehemals von der Firma Constellation 3D für ihre Fluorescent Multilayer Disk entwickelt wurde[13]. Da die Fluorescent Multilayer Disk, aufgrund von Geldmangel und der Auflösung der Firma Constellation 3D[14], leider nie fertig gestellt werden konnte, kann man davon ausgehen, dass die Digital Multilayer Disk nun eine Art fertiggestellte Version der Fluorescent Multilayer Disk ist. 6 Zukünftige Speichertechnologien (15 Seiten) 10 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder Constellation 3D wurde aus Geldmangel aufgelöst[14], weil dem Unternehmen nach einer falschen Präsentation die Investoren absagten. Man wollte während der COMDEX im Jahr 2000 einen Prototyp der Fluorescent Multilayer Disk vorstellen. Hierzu wurden ein Prototyp und ein zugehöriges Laufwerk fertiggestellt, tatsächlich befanden sich die Daten jedoch auf einer Festplatte. Laufwerk und Prototyp waren noch unbrauchbar. Entnommen aus: en.wikipedia.org Abbildung 9: Technik des 3D optical storage system. Die D Data Inc. kaufte, nach ihrer Gründung, 2003 die Patente für die Technologie für ihre Digital Multilayer Disc[13]. Wie bereits von der Double Layer Technologie von DVDs bekannt, verwendet die Digital Multilayer Disks mehrere Schichten auf denen Daten zu finden sind. Hierfür werden jedoch nicht nur zwei sondern vier oder mehr Schichten verwendet, die aus fluoreszierenden Materialien bestehen. Trifft ein Laser nun auf einen solchen fluoreszierenden Pit beginnt dieser zu leuchten, was vom Lesegerät aufgenommen und verarbeitet werden kann. Da die Pits, durch die Fluoreszenz, selbstständig leuchten wird auch keine reflektierende Aluminiumschicht mehr benötigt. Die für DMD verwendete 3D storage system Technologie hat eine dreidimensionale Auflösung[15], im Gegensatz zur zweidimensionalen, die z.B. bei der CD Verwendung findet. Je nachdem wie viele Schichten das Medium hat sind mit dieser Technologie Kapazitäten bis in den Terrabyte-Bereich hinein möglich. Die Datenspeicherung und das Auslesen der Daten läuft jedoch weiterhin mit einem gewöhnlichen roten Laser. Jedoch ist eine gewisse Nicht-Linearität der Datenschichten notwendig, da zum Erreichen eines Punktes auf dem Medium, ggf. andere Daten, von einer anderen Schicht, den Laser kreuzen.[15] Aufgrund dieser Nicht-Linearität ist es derzeit nur möglich maximal 10 Schichten auf einer Disk zu verwenden. Aufgrund der theoretischen Kapazität von mehreren Terrabyte ist diese Technologie, auch wenn sie zur Zeit auf Eis zu liegen scheint, der größte Konkurrent für Techniken wie das Holographic Data Storage System. Obwohl die Technologie in einem unmittelbaren Zusammenhang zur Holografietechnik liegt, werden hier keine Hologramme verwendet, sie lässt sich dennoch nicht von der Holografietechnik trennen. 6.1.2 Versatile Multilayer Disc Eine weitere Disk, die eine ähnliche Technologie verwendet, wie die Digital Multilayer Disk ist die Versatile Multilayer Disk (VMD) von New Medium Enterprises (NME), die pro verwendeter Schicht bis zu 5 GB speichern können soll. Die erste VMD soll vier Schichten besitzen und eine Kapazität von bis zu 20 GB besitzen. Möglich seien aber auch acht Schichten, wodurch die Disk eine Kapazität von bis zu 40 GB erreichen könne.[16] Für diese Technik, so NME, wird ein roter Laser verwendet, weshalb gängige Produktionsanlagen für DVDs nur geringe Veränderungen benötigen. Ähnlich sieht dies bei gängigen Abspielgeräten aus, diese müssten laut Hersteller lediglich umprogrammiert werden, damit der Laser die unterschiedlichen Schichten ansprechen kann. Vorgeführt wurde dies bereits auf der CeBit 2005, wo NME hochauflösende Filme über einen modifizierten DVD-Player von einer VMD vorführte.[16] 6.1.1 Digital Multilayer Disc 11 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder 6.1.3 Holografische Speicher 6.1.3.1 Geschichte der holografischen Speicher Die Zukunft der optischen Speichermedien findet sich zunehmend in holografischen Speichermedien. Auf TecChannel.de[17] berichtete man schon im Juli 2003 über Möglichkeiten von holografischen Speichern, die Forschung laufe jedoch bereits seit 40-50 Jahren. So werden bereits auf Geldscheinen oder Kreditkarten Hologramme mit Identifikationsmerkmalen angewandt. Da holografische Medien dazu in der Lage sein sollen den gesamten Körper des Mediums dreidimensional zu nutzen, seien durch Holografie sehr hohe Speicherdichten möglich, berichtet TecChannel.de[17]. Bereits zu damaliger Zeit sah man auf die holografischen Speicher für die Nutzung mit HDTV-Geräten. Blaulicht-Laser-Medien (vgl. BluRay), seien hier nur eine mittelfristige Lösung für die Kapazitätsprobleme[17]. Auch Medien auf Basis von Blaulicht-Lasern wurden zu damaliger Zeit zu den holografischen Medien gezählt. Neben der BluRay-Technik von Sony gehörte die Ultra-Density-Optical-Technik (UDO) von Plasmon zu den Vorreitern. 6.1.3.2 Allgemeine Technik von holografischen Speichern Durch die Überlagerung von zwei Lichtstrahlen ? Objektstrahl und Referenzstrahl ? lässt sich ein Hologramm erzeugen. Häufig stammen beide Lichtstrahlen ? meist werden hierzu Laser verwendet ? aus der gleichen Lichtquelle, die lediglich optisch geteilt wird. Dem Objektstrahl wird nun ein moduliertes Abbild der Daten (Bitmuster) zugeteilt, der Referenzstrahl aus kohärentem Licht dient der späteren Interferenz mit dem Objektstrahl.[17] Die Modulation des Abbild im Objektstrahl kann durch einen räumlichen Lichtmodulator (SLM = Spatial Light Modulator)[17] erfolgen, oder durch Mikrospiegel-Chips, wie sie auch in Projektoren verwendet werden, erfolgen. Lichtmodulatoren sind meist eine Anordnung von Flüssigkristallen, vergleichbar mit LCD-Bildschirmen. Durch die Speicherung der, durch die Interferenz entstehenden, Hologramme auf lichtempfindlichen Medien können optische Durchlässigkeit, Materialdicke oder die Lichtbrechung im Medium verändert werden. Interessant ist hierbei auch, dass mehrere Abbilder ineinander gespeichert werden können, wobei man die einzelnen Bilder dann nur bei Betrachtung aus unterschiedlichen Blickwinkeln sehen kann.[17] Einzelne Bits können hierbei in Form eines Würfels mit, der Lichtwellenlänge entsprechenden Kantenlängen in das Medium übertragen werden. Bereits bei normalen Helium-Neon-Lasern mit der Wellenlänge 632,8nm könne man somit in der Theorie eine Speicherkapazität von ca. 8 Millionen TB pro Kubikzoll erreichen . Aufgrund nötiger Fehlerkorrekturbits und des bis heute mangelhaften optischen Systems liegen die Kapazität jedoch einige Ebenen tiefer. Zum Auslesen der Abbilder wird nun ein, dem Referenzstrahl identischer Lichtstrahl benötigt, der das ursprüngliche Abbild wiederherstellt. Das Abbild wird dabei durch die Bestrahlung mit dem Referenzstrahl von der Rückseite des Mediums aus, als dem Objektstrahl identischer Lichtstrahl wiederhergestellt. So benötigt man für Beschreiben und Auslesen eines Mediums nur ein optisches System.[17] Ein CCD-Chip(Charge-coupled Device) übernimmt in der Regel die Auswertung und wandelt die Signale in elektrische Signale um. Diesen kann man z.B. mit einer Art Schieberegister vergleichen, bei dem Inhalte einer Speicherzelle in benachbarte Zellen verschoben werden. 6.1.3.3 Holographic Data Storage System 6.1.3 Holografische Speicher 12 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder Entnommen aus: grcblog.com Abbildung 10: Eine holografische Disk von General Electrics Die Entwicklung des Holographic Data Storage System (HDSS) begann bereits 1995 in einem Konsortium, dass aus einer Vereinigung von Universitäten, Industrie und Regierung bestand. Ziel war es ein Speichersystem zu entwickeln, mit dem enorme Kapazitäten erreicht werden können. Die Forschung wurde in Richtung der optischen Speicher geleitet, wo es bereits Forschung an Multilayer-Systemen gab. Schnell wurde klar, dass die Zukunft der Speichermedien bei den holografischen Speichersystemen liegt, da die Muster im Medium so angelegt werden können, dass man aus unterschiedlichen Blickwinkeln unterschiedliche Daten erhalten kann. Somit ist eine enorme, physische Datendichte möglich. Bereits zu damaliger Zeit gab es die theoretische Grundlage für diese Technologie und die Überlegungen über das zu verwendende Medium gingen von rotierenden Disks, ähnlich der CD, bis hin zu einzelnen Kristallen. Der Schlüssel dieser Technologie sollte der zweite Laser sein, der es ermöglicht, das Abbild wieder auszulesen. Wichtig ist dabei ebenfalls, dass Daten nicht mehr auf einer Metallschicht auf der Scheibe gespeichert werden sondern im eigentlichen Körper der Scheibe. Die Schwierigkeit besteht jedoch darin, dass dieser zweite Laser exakt den Winkel aufweisen muss, den auch der originale Referenzstrahl aufwies. Entnommen aus: Inphase Abbildung 11: Das tapestry? 300r Laufwerk der Firma InPhase 2006 testete man auf der Consumer Electronics Show erste markttaugliche Systeme mit einer Kapazität von 300GB. General Electrics entwickelte unterdessen ein System, das bereits Kapazitäten von 500 GB bietet. Brian Lawrence, der Verantwortliche für das Projekt ?Holografische Speicher?, von General Electrics beschreibt in einem Blogeintrag, aus dem General Electrics Global Research Blog, vom 3. Februar 2006[18]die Funktionsweise der holografischen Speicher und Möglichkeiten dieser Technologie. Demnach soll es möglich sein auf einer Disk 1.000.000 bit pro Hologramm, 10.000 Hologramme pro Position und 1000 Positionen zu speichern. Das entspräche in etwa 1250 TB pro Disk, was jedoch nur mit dem perfekten Material und einer perfekten Technik möglich ist. In einem weiteren Blogeintrag vom 27. April 2009[19] beschreibt Brian Lawrence erneut die Wichtigkeit des 6.1.3.3 Holographic Data Storage System 13 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder Materials für das Projekt, sowie weitere Fortschritte. Medien für holografische Speicher müssen demnach sehr durchsichtig sein und gute Reflektions- und Brechungseigenschaften haben. Vor allem aufgrund von geringeren Laserenergien beim Lesen sind diese Eigenschaften sehr wichtig. Man benötigt Materialien, die ein Hochenergie-Speichern, ein Niedrigenergie-Lesen und gleichzeitig eine hohe Reflektion ermöglichen. Durch die Verwendung von Blaulicht Lasern mit einer Wellenlänge von 405nm, wie sie auch bei Blu-ray zum Einsatz kommen wird so eine Kapazität von bis zu 500 GB erreicht. Entnommen aus: Inphase Abbildung 12: Die tapestry? 300r Disk der Firma InPhase Ein weiterer Konkurrent auf dem Markt ist ?InPhase?, das aus einer Vereinigung eines Ablegers der Bell Labs und Lucent Technologies entstand und aus dem Gedanken heraus gegründet wurde das erste Unternehmen zu sein, dass holografische Speicher auf den Markt bringt. In der Tat brachte InPhase bereits Ende 2006 das erste holografische Speichersystem auf den Markt. Dies bestand aus einem Laufwerk, das Kapazitäten von bis zu 300 GB verarbeiten konnte und eine Lesegeschwindigkeit von bis zu 20 MB/s sowie eine Schreibgeschwindigkeit von bis zu 160 Mb/s ermöglichte.[20] Hierzu wurde das WORM-Speicherformat (WORM = write once read multiple) und ein Blaulicht-Laser mit der Wellenlänge 405nm verwendet. Das Laufwerk war zu Beginn für ca. $ 18.000 erhältlich. Das zugehörige Medium, mit einer Dicke von 1,5mm und einem Durchmesser von 130mm, das eine Datenlebensdauer von 50 Jahren durchstehen soll, war für ca. $180 erhältlich.[20] 2008 sollte der Nachfolger mit einer Kapazität von 800GB folgen. Auf der Produktseite lässt InPhase bereits auf einen Nachfolger mit einer Kapazität von bis zu 1,6 TB blicken, der eine Transferrate von bis zu 120 MB/s ermöglichen soll. Weiter heißt es dort, dass alle 18-24 Monate mit einer neuen Generation zu rechnen sei. Somit wären die ersten 1,6 TB Disks bereits 2010 erhältlich. 6.1.3.4 Holographic Versatile Disc Die Holographic Versatile Disc (HVD) soll ein neuer Standard für optische Speichermedien werden, der in nächster Zeit Techniken wie Blu-ray ablösen soll. Blu-ray und DVD ähnlich, sollen sich die Daten auf einer rotierenden, spiegelnden Scheibe befinden.[21] Hier findet sich auch ein Unterschied zu den bereits vorgestellten Disks, die beidseitig durchleuchtet werden können, denn HVD haben wieder eine reflektierende Schicht mit Pits und Lands, wie es bei klassischen CDs und DVDs der Fall war. Zusätzlich bieten HVDs aufgrund der Holografietechnik jedoch eine sehr viel größere Speicherkapazität gegenüber DVDs und sogar Blu-ray-Discs. 6.1.3.4 Holographic Versatile Disc 14 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder Zum Vergleich, eine herkömmliche DVD hat eine Kapazität von 4,7 GB, eine Blu-ray Disk könnte es immerhin auf 400GB schaffen, die neue HVD soll Kapazitäten von bis zu 4 TB erreichen können.[21] Die Technik der Holographic Versatile Disk basiert auf der Collinear? Technik[22], die bereits 2006 von der Firma Optware eingeführt wurde. Seitdem arbeiten mehrere Firmen und Organisationen an der Standardisierung des HVD-Verfahrens. Neben bekannteren Firmen wie IBM (International Business Machines), Sony, Philips, Fujifilm, Panasonic und Toshiba , sind zahlreiche andere Unternehmen an der Entwicklung beteiligt. Einige, vorwiegend japanische Unternehmen haben sich zu einer Forschungsvereinigung zusammengeschlossen, dem so genannten Holography System Development Forum (HSDF).[23] Mitglieder des HSDF sind: Entnommen aus: Compress.ru Abbildung 13: HVD-Logo ? Entnommen aus: HowStuffWorks.com Abbildung 14: Eine HVD ohne Ummantelung • ALPS • CBC Group • CMC Magnetics • DIC • Fujifilm • JIC • JWU Kodate • Kyoeisha • Memory-Tech • Nippon Kayaku • Nipponpaint • Oerlikon • Pulstec • Shibaura • Suruga Seiki • Teijinkasei • Toagosei • Tokiwa 6.1.3.4 Holographic Versatile Disc 15 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder Eine aktuelle Liste der Mitglieder des HSDF findet sich unter: HVD-Forum Member List . Neben den Mitgliedern des HSDF nehmen regelmäßig auch weitere Firmen an einem Komitee zur Standardisierung von HVD teil, z.B.: Entnommen aus: 1.bp.blogspot.com Abbildung 15: Ansichten: HVD(links) und DVD-R(rechts) ? • Hitachi • IBM • InPhase • Optware • Ovalrock • Panasonic • Philips • Pioneer • Plasmon • Pulstec • Software Architects • Sony • Universität von Stanford • Texas Instruments • Toagosei • Toshiba Entnommen aus: HVD-Forum.org Abbildung 16: Struktur einer HVD. ?Das Collinear?-Verfahren unterscheidet sich von den Standard-Verfahren, die für die Holografie-Technik verwendet werden. Da die Disks bei diesem Verfahren wieder eine reflektierende Aluminiumschicht besitzen, 6.1.3.4 Holographic Versatile Disc 16 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder können sie nicht beidseitig durchleuchtet werden. Jedoch wird auch die HVD von zwei Lasern abgetastet[22]. Ein roter Laser tastet hierbei eine Schicht direkt unter der Datenschicht ab, auf der sich die von der DVD bekannten Hilfsinformationen wiederfinden, die nötig sind um die gelesenen Daten korrekt einzuordnen. Ein ?feinerer? blauer oder grüner Laser tastet hier die eigentliche Datenschicht ab, in der sich die Informationen in Hologrammen befinden. Durch den Laser mit der geringeren Wellenlänge lassen sich Daten mit sehr viel kleineren Abständen auf der Disk platzieren. Außerdem kann ein sehr viel präziseres Auslesen der Daten gewährleistet werden, wodurch die Kapazität weiter erhöht wird.[22] Anders als bei den meisten Lese- und Schreibverfahren der Holografietechnik verwendet Collinear? keine zwei Achsen-Holografie, stattdessen werden beide Strahlen koaxial abgeglichen und durch eine einzelne Linse projiziert, so können alle nötigen optischen Einheiten auf einer Seite der Disk platziert werden, wie es auch von CDs und DVDs bekannt ist.[22] Fälschlicherweise brachte die Firma Maxell 2006 bereits ein Medium auf Basis der von InPhase verwendeten Technik als HVD auf den Markt. 6.1.4 Protein-coated disc Entnommen aus: www.ks.uiuc.edu Abbildung 17: Struktur des Bacteriorhodopsin Nach der Holographic Versatile Disc wird die Protein-coated Disc (PCD) vermutlich den nächsten großen Kapazitätssprung für optische Speichermedien bringen, so soll eine gewöhnliche PCD bereits eine Kapazität von 50 Terabyte besitzen.[24] Grundlage dieses enormen Kapazitätssprungs ist eine, von Professor Venkatesan Renugopalakrishnan[25], von der Florida International University, entwickelte Technologie, bei der eine normale DVD eine Protein-Ummantelung erhält, die bei Lichteinstrahlung eine chemische Substanz erzeugt, die als Energiespeicher dienen kann. Der enorme Kapazitätssprung erklärt sich hier mit der Größe der Proteine. Diese sind nur wenige Nanometer groß und können daher in Maßen sehr dicht aneinander Daten enthalten. 6.1.4 Protein-coated disc 17 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder Das Protein Bacteriorhodopsin stammt von den so genannten Halobakterien und agiert quasi als eine Protonen-Pumpe. Durch Bestrahlung mit Licht wird ein Proton durch die Membran aus der Zelle bewegt, wodurch chemische Energie erzeugt wird. Durch diesen Effekt kann jedes Molekül als einzelnes Bit dienen.[25] Das violette Bacteriorhodopsin-Molekül absorbiert am besten grünes Licht mit einer Wellenlänge von 500-650 nm, wobei das Absorbtionsmaximum tatsächlich bei 568 nm zu finden ist. Allerdings finden die eigentlichen Proteine in der Regel sehr schnell zu ihrem Ursprungszustand zurück[24], meist schon nach einigen Stunden oder wenigen Tagen, weshalb man die DNA, des Bakteriums insofern veränder musste, dass man eine höhere Verweildauer der Proteine im Speicherzustand erhalten konnte.[25] Eine Haltbarkeit, die mit derzeit aktuellen Medien vergleichbar ist, erhielt man bisher jedoch noch immer nicht. In Zusammenarbeit mit der japanischen Firma NEC stellte Renugopalakrishnan einen Prototyp her, der im Juli 2006 erstmals ins Brisbane vorgestellt wurde. Weiter ließ Renugopalakrishnan verlauten, dass bereits 18-24 Monate später eine Markteinführung stattfinden könne.[25] Seit 2007 sind jedoch keine neuen Informationen zu dieser Technologie hervorgedrungen, weshalb man keine eindeutigen Aussagen zur Markteinführung treffen kann.[25] 6.2 Magnetische Speicher Die magnetische Speicher sind heutzutage die Verbreitetsten. Nahezu jeder Personal Computer arbeitet mit einem magnetischem Speicher. Ob dieser Speicher Zukunft hat und welche Forschungen in diesem Bereich stattfinden wird in diesem Abschnitt untersucht. 6.2.1 Klassische Festplatten Die klassische Festplatte entwickelt sich in Bezug auf Kapazität und Zigriffszeiten stetig weiter und das wird auch in Zukunft noch so sein bis eine andere Technik die klassische Festplatte vom Markt verdrängt. Es sind allerdings keine Quantensprünge mehr in diesem Bereich zu verzeichnen. Die derzeitige maximale Kapazität liegt bei 2TByte für Desktop-PCs, auch für Server wird diese Platte von Western-Digital auf den Markt kommen. Diese Platte hat somit die vierfache Kapazität von einer Platte aus dem Jahre 2004[26]. Desweiteren werden Pufferspeicher erweitert, um den Schreibfluss und Zugriffszeit zu verbessern. Die Größe des Pufferspeichers liegt derzeit bei maximal 64MByte. Im Jahre 2004 lag diese bei 16 MByte und ist somit proportional zur Kapazität gestiegen. Abbildung 18 zeigt die Kapazitätsentwicklung von 1984 bis 2004. 6.2 Magnetische Speicher 18 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder Entnommen aus: Hansen/Neumann; Wirtschaftsinformatik 2; 2005; S. 204 Abbildung 18: Kapazitätsentwicklung 1984 - 2004 Die aktuelle gängige Schnittstelle S-ATA - die IDE ersetzt hat ? hat nun in der dritten Generation eine Datenübertragungsrate von 6GBit/s. IDE wieß lediglich eine Übertragungsrate von 133MB/s auf. Desweiteren gibt es sogenannte FibreChannels, die mit Lichtwellentechnik eine Geschwindigkeit von 8Gbit/s aufweist. Klassische Festplatten arbeiten derzeit mit einer Geschwindikgeit von 1Gbit/s, die volle Übertragungsrate wird auch in Zukunft nur mit anderen Technologien möglich sein Um den Trend der Green-IT nachzugehen wird versucht die Leistungsaufnahme der Festplatten möglichst gering zu halten. Dies ist für Unternehmen von großer Bedeutung. Die Einsparung von 2-3Watt pro HDD macht bei einer einzelnen noch nicht viel aus aber wenn man über tausende redet, ist das sehr wohl ein Kostenfaktor[27]. Die klassische Festplatte wird noch eine Zeit lang auf dem Markt vertreten sein. Doch es ist anzunehmen, dass die klassische Festplatten durch Racetrack o.Ä. vom Markt verdrängt werden, da die zukünftigen Forschungen keine großen Sprünge in punkto Kapazität und Zugriffszeiten versprechen. Allerdings wird die Weiterentwicklung der klassischen Festplatte trotzdem stattfinden, da bereits etablierte Techniken in der Regel günstiger sind als neue Technologien. 6.2.2 Hybride Festplatten Eine Hybride Festplatte hat zu dem bereits bestehendenm Cache einen weiteren Flash-Pufferspeicher. Dieser wurde integriert um die Leistungsaufnahme der Festplatte zu verringern und um die Geschwindigkeit von Schreib- und Lesezyklen zu beschleunigen. Dies kommt dadurch zustande, dass der Flashspeicher als Zwischenspeicher genutzt wird. Erst wenn dieser voll ist werden die Daten auf die Festplatte geschrieben. Die 6.2.1 Klassische Festplatten 19 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder Leistungsaufnahme verringert sich dadurch, dass die HDD bis zu dem Zeitpunkt im Stromsparmodus arbeitet bis der Flash-Speicher voll ist. Wie der Aufbau einer Festplatte gestaltet ist, macht Abbildung 19 deutlich. Entnommen aus: das ELKO Abbildung 19: Struktur einer Hybrid-Festplatte Die Geschwindigkeitserhöhung resultiert daraus, dass Flashspeicher generell eine geringere Zugriffszeit hat. Besonders machen sich die schnelleren Schreibzyklen bemerkbar, wenn nichtlineare Zugriffe stattfinden, dass bedeutet wenn die Schreib-/Leseköpfe mehrmals über die Platte fahren müssten. Dies ist beim ersten Schreiben auf den Flash-Cache nun nicht mehr nötig, erst nachher findet dann das nichtlineare Schreiben statt wovon der Benutzer dann nichts mehr mitbekommt. Dieses Verfahren ist allerdings nur bemerkbar wenn die Datenmenge kleiner als der Flash-Cache ist. Die Lesezyklen werden dadurch beschleunigt, dass Daten die oft verwendet werden im Flashspeicher gelagert werden und so schneller abgerufen werden können[28]. Der Nachteil an hybriden Festplatten ist der, dass ein spezielles Programm für hybride Festplatten benötigt wird, welches die Zwischenspeicherung verwalten muss. Das bedeutet, dass man diese Festplatten nicht mit jedem beliebigen Betriebssystem nutzen kann. Windows Vista hat bspw. das Programm Ready Drive integriert welches hybride HDDs verwalten kann. Dieses steuert welche Daten im Flash-Speicher gelagert werden. Desweiteren werden Schreibzugriffe durch bestimmte Algorithmen organisiert, um die Abnutzung des Flash-Speichers zu verringern. Die Abnutzung des Flash-Speichers ist ein weiterer Nachteil dieser HDDs. Die Schreibzyklen sind auf ca. 1Millionen begrenzt und hat somit eine begrenzte Lebensdauer[29]. Diese beiden Nachteile haben dazu beigetragen, dass sich Hybrid-Festplatten nicht so stark durchgesetzt haben. Da die Leistungssteigerungen nicht so eklatant waren und dazu noch die oben angesprochenen Umstände hinzukamen, wurde die Festplatte nicht so gut auf dem Markt angenommen. Denkbar ist in Zukunft, dass sich der Flash-Zwischenspeicher von 256MByte auf 1GByte erhöht um die Leistungsaufnahme weiter zu senken und mehr Daten die oft verwendet werden zu speichern und das nichtlineare Schreiben auch für größere Datenmengen zu beschleunigen[30]. Besonders interessant sind diese Festplatten also für Notebooks, um die Akkulaufzeiten durch den häufig verwendeten Stromsparmodus der Festplatte zu erhöhen. 6.2.2 Hybride Festplatten 20 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder 6.2.3 Racetrack-Speicher Racetrack-Speicher ist eine ganz neue magnetische Technologie um Daten zu speichern. Dies ist eine Entwicklung von dem Unternehmen IBM. Es handelt sich um Nanodrähte die Racetrack genannt werden aus magnetischem Material. Bits werden darauf nebeneinander gespeichert. Diese müssen dann an einer Schreib-/Lesestation vorbei geschoben werden, wie bei der klassischen Festplatte die Scheibe an den Schreib-/Leseköpfen. Den grundsätzlichen Aufbau des Scheib-/Leseverfahrens zeigt Abbildung 20[31]. Entnommen aus: SearchStorage Abbildung 20: Racetrack Schreib-/Leseverfahren Ist der zu beschreibende Teil des Racetracks an der Station angekommen, wird der Draht durch einen kontrollierten spin-polarisierten Stromimpuls auf die Lese- bzw. Schreibstation geschoben[32]. Dadurch dass der Racetrack auch die dritte Dimension ausnutzt, wie auf der Grafik als Racetrack Storage Array zu sehen ist, können 100mal mehr Daten auf bestimmten Raum gespeichert werden als heutzutage. Die Technik soll langfristig den Flash-Speicher und die Festplatten ersetzen. Die Zugriffszeiten liegen bei weniger als einer Nanosekunde und sind somit 80 Millionen mal schneller als ein klassische Festplatte und 160000 mal schneller als eine Solid State Disc die in einem späteren Kapitel noch behandelt wird. Ein Racetrack soll zudem keine Abnutzungserscheinungen aufbringen, was bei dem Flashspeicher ein großer Nachteil ist. Bisher ist diese Technik nur unter Laborbedingungen realisiert worden. Ein Racetrack-Speicher wurde bisher noch nicht präsentiert allerdings soll der Racetrack-Speicher in ca. 4 Jahren marktreif sein[33]. 6.3 Flash Speicher Die Flash-Technologie ist eine Technik mit Zukunftspotenzial. Schnelle Zugriffszeiten und hohe Speicherkapazitäten sind dafür große Faktoren. Ein Nachteil ist die begrenzte Anzahl an Schreibzyklen. Diese Faktoren werden folgend anhand der Solid State Disc und einer neuen Secure Digital Memory Card untersucht. 6.2.3 Racetrack-Speicher 21 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder 6.3.1 Solid State Drive Die Strukturbreite heutiger SSDs liegt bei 43 Nanometern. Sie gibt Auskunft darüber, wie viele Bits auf einer bestimmten Fläche gespeichert werden können. Auf der Road-Map von Flash-Herstellern wird die entwicklung an 22 bis zu 11 Nanometern angegeben, dies deutet auf weitere große Sprünge in punkto Kapazität hin. Desweiteren gibt es Entwicklungen, die ähnlich wie beim Racetrack anstreben in die dritte Dimension zu expandieren. Um eine Vorstellung davon zu bekommen wie eine SSD aussieht, zeigt die Abbildung 21, dass es sich um herkömmliche Flash-Chips handelt die auch in USB-Sticks vorzufinden sind. Zusätzlich ist auf der Platine entsprechende Steuerelektronik. Entnommen aus: SanDisk Abbildung 21: Solid State Disc Auch wenn die Geschwindigkeit eines Flashspeichers schon sehr schnell ist, wird der DRAM Cache in SSDs trotzdem noch bestehen bleiben, damit das beschreiben von Flash-Blöcken möglichst lange hinausgezögert wird, um einen linearen Datenfluss zu gewährleisten. Bei den Entwicklungen neuer SSDs reichen die Übertragungsraten von S-ATA mit maximal 6Gbit/s nicht mehr aus und man verwendet stattdessen FibreChannel. Dies ist eine Schnittstelle für Festplatten die zur Zeit fast ausschließlich in Rechenzentren verwendet wird, die eine Datenübertragungsrate von 8Gbit/s aufweist. Zudem ist ein FibreChannel aus Sicht von Kosten noch im preislichen Rahmen. So wäre es Denkbar, dass DesktopPCs in Zukunft mit der Schnittstelle FibreChannel ausgerüstet werden[34]. Für eine langfristige Datenarchivierung sind SSDs nicht zu empfehlen, da sie eine begrenzte Anzahl an Schreibzyklen haben. Es wird trotzdem in Zukunft einige Neuerungen im Bereich Storage geben. In Bereichen wie Filmproduktionen, wo mit sehr großen Datenmengen gearbeitet wird, könnten solche Storagelösungen zum Einsatz kommen[35]. Dazu mehr in Kapitel 7. 6.3.1 Solid State Drive 22 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder 6.3.2 Secure Digital Extended Capacity Auf der SD-Association, eine Industrieallianz zur SD-Speichertechnologie, wurde eine neue Speicherkarte angekündigt dessen Größe der einer herkömmlichen SD-Karte von 20mm x 2mm x 21mm entspricht. Die Kapazität wurde immens gesteigert, sie liegt bei 2 TerraByte was eine enorme Kapazitätsentwicklung im Bereich des Flashspeichers hervorruft. Auch die Zugriffszeiten der Speicherkarte führen zu einer Verdreifachung der Geschwindigkeit und wird von heute 104 MByte/s auf zukünftig 300MByte/s steigen. Die Speicherkarte wird als SDXC auf den Markt kommen, das XC steht für Extended Capacity. Die aktuelle Kapazitätsgröße einer üblichen Speicherkarte liegt bei 32GByte, SDXC würde die Kapazität somit um das 64 fache erhöhen. Wie in dem Kapitel der klassischen magnetischen Festplatten erwähnt wurde, liegt die maximale Speicherkapazität bei diesen Festplatten derzeit bei 2TBye, somit kann eine kleine SD-Karte ?auch wenn sie noch nicht auf dem Markt ist ? so viel speichern wie die klassische Festplatte mit der Größe von 102mm x 26mm x 147mm. Geht man rein von dem Volumen aus würden 175 SD-Karten in eine klassische Festplatte passen, das entspricht 350TByte Speicherplatz. Abbildung 22 zeigt das Aussehen einer SDXC Card. Entnommen aus: PCG Hardware Abbildung 22: Struktur einer Hybrid-Festplatte Zu der Technologie ist bekannt, dass es eine völlig neue Architektur des Flash-Speichers ist, genaue Angaben wurden noch nicht veröffentlicht. Ein konkreter Veröffentlichungszeitpunkt und Preis sind ebenfalls noch nicht genannt worden[36]. 6.4 Flüchtige Speicher / Zwischenspeicher 6.4.1 Arbeitsspeicher 6.4.1.1 Extreme Data Rate Dynamic Random Access Memory 6.3.2 Secure Digital Extended Capacity 23 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder Entnommen aus: toshiba.co.jp Abbildung 23: 512 MBit XDR DRAM von Toshiba Das XDR DRAM (Extreme Data Rate Dynamic Random Access Memory) ist eine von der US-Firma Ramus entwickelte dynamische Speicherzelle. Dabei handelt es sich um eine weiterentwicklung der RDRAM (Rambus Dynamic Random Access Memory) Technologie, die die erste Speicherzelle von Rambus war. Das Übertragungsverfahren war unter dem Namen Yellowstone entwickelt worden[37]. Die XDR DRAM Speicherzellen besitzen eine variable Datenbusbreite zwischen 1 und 32 Bits. Die Taktfrequenz beträgt dabei 3.2 GHz und lässt sich bis auf 6.4 GHz skalieren. So ist es zum Beispiel bei einer Datenbusbreite von 16 Bit thoretisch möglich 6,1 bis 12,2 GB/s zu übertragen[38]. Entnommen aus: itwissen.info Abbildung 24: XDIMM mit 32 Bit Busbreite Die XDR DRAM Speicherzellen werden auch als Speichermodule angeboten, die Rambus als XDIMM bezeichnet[39]. An der Abbildung 24 ist eine XDIMM dargestellt. An der Abbildung erkennt man, dass die XDIMM im Vergleich zu anderen Speichermodulen unterschiedliche Einkerbungen besitzen, um ein verwechseln von DIMM Modulen zu vermeiden. Der Nachfolger der Speicherzelle von Rambus ist der XDR DRAM II. Eine Neuerung ist die Flex-Phase-Technologie, die es erlaubt auf eine Taktgeberleitung zu verzichten. Der Takt und der Datenfluss wird auf verschiedenen Leitungen automatisch abgestimmt. Dies verringert die Latenzzeit und erhöht damit den Datendurchsatz. Des Weiteren besteht die Möglichkeit durch die interne Organisation des Speichers gleichzeitig voneinander unabhängige Schreibzugriffe zu realisieren. Zum Beispiel können auf die ungeraden Speicherbänke Schreibzugriffe erfolgen und gleichzeitig lässt sich die geraden Speicherbänke auslesen[39]. 6.4.1.2 Double Data Rate 3 Entnommen aus: Corsair Abbildung 25: Corsair 2 GB DDR3 SDRAM DIMM Modul 6.4.1.1 Extreme Data Rate Dynamic Random Access Memory 24 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder DDR3 ist der Nachfolger von DDR2, welche von der Jedec Solid State Technology Association, auch bekannt unter JEDEC (Joint Electronic Devices Engineering Council), entwickelt wurde[40]. JEDEC ist eine US-amerikanische Organisation zur Standardisierung von Halbleitern[41]. Am 02. Juli 2007 wurde offiziell der Standard von DDR3 Mainboards und Arbeitsspeicher veröffentlicht[42]. Weniger Wochen später hatte die US-Firma OCZ, ein Hersteller für Speichertechnik[43], den ersten DDR3 Arbeitsspeicher der Welt entwickelt, welches dem Standad nach JEDEC entsprach[44]. Eine Weiterentwicklung von DDR3 im Gegensatz zu DDR2 liegt unter anderem in der 8-Bit-Prefetch-Technologie. Die Prefetch Technologie ist ein Verfahren, um den Datendurchsatz zu steigern, ohne die interne Taktfrequez zu erhöhen. Bei der Adressierung der Daten im Speicher werden mehrere Spaltenadressen ausgelesen und in einem Eingabe/Ausgabe-Puffer geschrieben. Aus diesem Puffer wird mit einer höheren Datenrate gelesen und führt damit zu einer größeren Bandbreite der Arbeitsspeicher bei gleicher realer Taktfrequenz als bei DDR2-SDRAM mit 4-Bit-Prefetch[45]. Dabei ist die Grundtaktrate von DDR3 genau wie bei DDR und DDR2 auf 100, 133, 166 und 200 MHz geblieben, wobei die maximale Frequenz von DDR2 bei 266 MHz liegt. Die Änderung von DDR auf DDR2 war die Verdoppelung des Prefetches von 2 (DDR) auf 4 (DDR2). Wie bereits erwähnt war es der nächste Schritt bei DDR3 den Prefetch auf 8 zu erhöhen[46]. Folglich ergibt sich folgende Tabelle: Tabelle 4: DR-SDRAM und die Höhe des Prefetches Speichertechnik Prefetch Bezeichnung SDR-SDRAM DDR-SDRAM DDR2-SDRAM 1 Interner Speichertakt Externer Bustakt PC-166 166 MHz 166 MHz PC-1600 100 MHz 200 MHz (DDR-200) PC-2100 133 MHz 266 MHz (DDR-266) PC-2700 166 MHz 333 MHz (DDR-333) PC-3200 200 MHz 400 MHz (DDR-400) PC2-3200 100 MHz 200 MHz (DDR2-400) PC2-4200 133 MHz 266 MHz (DDR2-553) PC2-5300 166 MHz 333 MHz (DDR2-667) PC2-6400 200 MHz 400 MHz (DDR2-800) PC3-6400 100 MHz 400 MHz (DDR3-800) 2 4 DDR3-SDRAM 6.4.1.2 Double Data 8Rate 3 Speicher-Bandbreite 25 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder PC3-8500 133 MHz 533 MHz (DDR3-1066) PC3-10600 166 MHz 667 MHz (DDR3-1333) PC3-12800 200 MHz 800 MHz (DDR3-1600) Quelle: das ELKO Die Bandbreite berechnet sich nach folgender Formel: Hier steht n für die Anzahl der Bits der Prefetch Technologie. Die Taktfrequenz wird hier in Hz (nicht MHz) angegeben. Die Bandbreite ist die Anzahl der Bits, die in einem Takt übertragen werden. 10243 * 8 dient dazu die Speicher-Bandbreite in GByte umzurechnen. Nach den Quellen wird häufig die linke Spalte der Speicher-Bandbreite angegeben. Da hier durch 10003 * 8 geteilt wird, erhält man fälschlicherweise höhere Speicher-Bandbreiten. Weitere Informationen dazu erhält man unter bcs - kommunikationslösungen. In Anlehnung an: Intel Desktop Board DX58SO Product Guide, Seite 39 Abbildung 26: Einkerbung von DDR2 und DDR3 Nach dem Artikel von Schmid und Roos sind aufgrund des verdoppelten Prefetches der Bustakt zusammen mit der Latenzzeiten angestiegen. Somit würde sich die DDR3 Technologie erst lohnen, wenn der Bustakt stärker im Verhältnis zu Latenzzeit erhöht wird. Solange sich Taktraten zusammen mit Latenzzeiten verdoppeln, wie zum Beispiel DDR2-800 bei CL4 und DDR3-1600 bei CL8, ändert sich nichts an den tatsächlichen Zykluszeiten. [47] Der Arbeitsspeicher benötigt eine Spannung von 1,5 V während die Spannung von DDR2 1,8 V beträgt[48] . Damit ist DDR3 durch die Energieeinsparung besser für mobile Geräte, wie zum Beispiel Notebooks, geeignet. Des Weiteren gibt es sowohl bei DDR2 als auch DDR3 240 Pins. Bis auf die versetzte Einkerbung (siehe Abbildung 26), die verhindert DDR3 und DDR2 DIMMs zu vertauschen, sind sie äußerlich gleich aufgebaut. Nach dem c't Artikel vom 15. Mai 2009 ist ein 1 GByte DDR3-SDRAM (PC3-8500-UDIMM) ab 10 Euro zu erhalten. DDR3 Module mit 1 GByte Kapazität und höheren Bandbreiten, wie zum Beispiel PC3-10600-UDIMM, kosten mindestens 14 Euro. Die teuersten ungepufferten DDR3 Speicher mit 4 GByte sind ab 400 Euro erhältlich[49]. 6.4.1.2 Double Data Rate 3 26 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder 6.4.1.3 Ferroelectric Random Access Memory Bei FRAM / FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) handelt es sich trotz seines missverständlichen Namens um ein nicht-flüchtigen Speicher[50], der dennoch in Zukunft den flüchtigen DRAM ersetzten kann. FRAM soll nahezu alle Vorteile von DRAM und Flashspeicher vereinen: Sie ist so schnell wie DRAM, liefert ähnlich hohe Speicherdichten und hält die Daten wie ein Flashspeicher ohne eine Stromversorgung. Aufgrund dieser Eigenschaften wird FRAM mit den Begriffen "Universalspeicher"[51] oder "idealer Speicher"[52] beschrieben. Des Weiteren sollte dieser Speicher der Zukunft zu geringen Kosten in Siliziumschaltkreise in Nanogröße integrierbar sein, was jedoch eine große Herausforderung darstellt[53]. Entnommen aus: tec channel Abbildung 27: Blei-Zirkonium-Titanat in einem von zwei stabilen Zuständen Es gibt unterschiedliche ferroelektrische Moleküle, wie zum Beispiel Blei-Zirkonium-Titanat (PZT) (siehe Abbildung 27), Bariumtitanat (BaTiO3) oder Strontium-Wismut-Tantalat (SBT). Nach der schematischen Darstellung des PZTs auf der Abbildung 27, befindet sich in der Mitte ein Atom, welches sich in einer von zwei stabilen Lagen befindet. Durch ein Spannungsimpuls wird die Ausrichtung der elektrischen Dipole einer FRAM-Speicherzelle beeinflusst, dass heißt das Atom wechselt zwischen einem positiven Polarisationszustand zu einer negativen beziehungsweise umgekehrt. Nach der Neutralisierung des Spanungsimpulses bleibt der neue Zustand erhalten. Beim Auslesen der Speicherzelle wird ein weiterer Spannungsimpuls angelegt. Jenachdem in welchem Zustand der Atom sich befindet fließt durch die Leiung ein kleiner oder ein großer Strom, welches einem gesetztem beziehungsweise einem nicht gesetztem Bit entspricht. Nachdem eine Bitzelle ausgelesen wurde muss sie, wie bei DRAM, neu beschrieben werden[54]. Toshiba ist derzeit das führende Unternehmen in der Entwicklung des leistungsfähgisten Prototypen der FRAM Speicherzelle. Im Februar 2009 hatte Toshiba aktuelle Entwicklungen bezüglich der neuen Technologie auf der jährlichen ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) in San Francisco vorgestellt[55]. Die Entwickler haben die ChainFRAM-Technologie modifiziert. Die ChainFRAM-Technologie kombiniert nun acht anstatt vorher vier ferroelektrische Moleküle in widerum acht statt vier Datenleitungen[56]. Damit wird die Speicherdichte von 32 auf 128 MBit bei einer kleineren Chipfläche erhöht und die Standby-Leistungsaufnahme senkt. Die Leseund Schreibgeschwindigkeit steigt von 200 MBit/s auf 1,6 GBit/s[57][55]. Die Verbreitung der FRAM Speicher wird jedoch durch einige Nachteile eingeschränkt. Die Lesevorgänge zerstören die Informationen der gelesenen Speicherzelle, was ein unmittelbares Rückschreiben des gelesenen Inhalts erfordert. Des Weiteren beinhaltet FRAM bei der Herstellung unübliche Prozessschritte und Substanzen, weshalb nur sehr wenige Halbleiterhersteller FRAM in ihrem Produktportfolio haben[50]. Die neue Speichertechnik eignet sich noch nicht als Ersatz für DRAM, da die Speicherzellen im FRAM nach etwa 10 Milliarden Lese- und Schreibzyklen zerstört werden[58]. Die Taktfrequenz mehrerer GHz heutiger Rechner würden die FRAM Chips nach sehr kurzer Zeit unbrauchbar machen. 6.4.1.3 Ferroelectric Random Access Memory 27 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder 6.4.1.4 Magnetoresistive Random Access Memory MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) ist eine Speichertechnologie, die in Konkurrenz zur FRAM steht. Sie besitzen die selben Eigenschaften, wie zum Beispiel die Speicherung der Daten ohne Stromversorgung sowie die Geschwindigkeit von DRAM Zellen, welche in Zukunft erreicht werden soll. Der Unterschied liegt in der Technologie der Speicherzellen: MRAM speichert die Informationen durch zwei magnetische Elektroden. Des Weiteren können die MRAM Zellen beliebig oft beschrieben und ausgelesen werden[59]. In Anlehung an: elektronik industrie 9/2004, Seite 42 Abbildung 28: Aufbau einer MRAM Bitzelle Das maßgebliche Unternehmen in der Forschung von MRAM ist IBM in Kooperation mit Infineon. IBM / Infineon nutzt eine 1T1MTJ-Zelle (1-Transistor 1-Magnectic-Tunnel-Junction), die aus zwei Elektroden besteht, welche von einer dünnen Isolationsschicht getrennt ist, wie man an der Abbildung 28 erkennen kann. Die untere Elektrode weißt eine statische magetische Polarisierung auf, das heißt der Zustund verändert sich nicht. Die obere Elektrode kann hingegen verändet werden. Haben die Elektroden die gleiche magnetische Orientierung, handelt es sich um eine parallele Magnetisierung. Andererseits besteht eine anti-parallele Magnetisierung, die einen höheren Widerstand ausweist. Beim Lesen einer MRAM Bitzelle fließt Strom durch eine Elektrode über die Isolationschicht weiter durch die zweite Elektrode. Der Stromfluss wird durch den Pfeil auf der Abbildung dargestellt. Anschließend wird der Widerstand gemessen[60]. Ein geringer Wiederstand repräsentiert einen 0 Bit während ein höher Widerstand für 1 steht[61]. Entnommen aus: c't 18/2005, Seite 87 Abbildung 29: Matrix gekreuzter Leiterbahnen mit MRAM Zellen als Informationsträger Ein MRAM-Speicher besteht aus einer Matrix aus gekreuzten Bit- und Wortleitungen (siehen Abbildung 29). An jedem Schnittpunkt der Leitungen speichern MRAM-Bitzellen die Informationen. Die Speicherdichte, welches in Bit pro Quadratzoll gemessen wird, soll in Zukunft höherer sein sein als es bei reinen Silizium-Speicher-Chips sein wird. Wie bei FRAM besteht hier die Herausforderung die Speicherzellen zu geringen Kosten in Siliziumschaltkreise zu implementieren, welches in Nanometermaßstab liegt. Die Firma Cypress war dieser Herausforderung nicht gewachsen und hatte die MRAM-Sparte verkauft. Sie hatten keine Lösung gefunden, um die Chips mit den geplanten 4 bis 64 MBit Kapazität kommerziell konkurrenzfähig 6.4.1.4 Magnetoresistive Random Access Memory 28 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder herzustellen[62]. Dennoch forschen andere Unternehmen wie IBM und Infineon weiter an dieser Technologie[63]. In einigen Jahren werden die MRAM Zellen die Flashspeicher konkurrenz machen. Nach einigen Jahren Forschung besteht die Möglichkeit MRAM als Arbeitsspeicher in PCs einzusetzten. Damit könnte die Vision, dass ein Rechner ohne Bootvorgang startet, realisiert werden[62]. Derzeit ist jedoch nicht nicht zu erkennen, ob solche Speichertechniken überhaupt für größere Datenmengen geeignet sind[62]. Derzeit haben Toshiba und das Hitachi-Mitsubishi-Jointventure Renesas Technology ein MRAM Chip mit 256 MBit Kapaziätzt vorgestellt. Das Unternehmen Freescale stellt Chips in geringen Mengen her, die eine Zugriffzeit von 25 bis 35 Nanosekunden haben. Gegenwärtig besitzt MRAM eine interne Taktfrequenz von 100 MHz, welches im Vergleich mit DRAM Zellen langsam ist[64]. 6.4.2 Cache 6.4.2.1 Smart Memory Smart Memory ist eine Entwicklung von Forschern der Information Sciences Institute (ISI). Das Ziel war es den Transportweg der Daten zwischen dem Prozessor und dem Cache effizienter zu gestalten. Durch die Vereinigung von Cache und Prozessor auf einem Chip, welches man als Processor in Memory (PIM) beziehungsweise Smart Memory bezeichnet, können die Daten etwa acht bis zehn Mal schneller als mit herkömmlichen System übertragen werden[65]. Mit anderen Worten: Die Latenzzeit wird erheblich reduziert. Ein weiterer Vorteil besteht in der gringeren Verwendung von Material wie Silizium, was zu einer Energieeinsparung führt[66]. Des Weiteren besteht die Möglichkeit Operationen auf die Daten parallel durchzuführen, wobei die Programmierung der parallelen Prozesse schwieriger ist. Der generelle Nutzen von PIM ist von der Kommunikaitonsgeschwindigkeit abhängig [67]. Unter anderem ist Intel ein Hersteller von Smart Memory Prozessoren[68]. 6.4.2.2 Embedded Dynamic Random Access Memory 6.4.2 Cache 29 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder Entnommen aus: Daily Tech Abbildung 30: eDRAM Zelle von IBM IBM hatte im Februar 2007 auf der ISSCC[69] in San Franciso bekannt gegeben, dass sie die Kapazität vom Cache verdreifachen könnte. Wie im Grundlagenteil bereits erwähnt wurde, wird SRAM als Grundlage für Cache Speicher genutzt. Die SRAM Bausteine sind mit Zugriffszeiten von 0,8 bis 1,0 Nanosekunden sehr schnell. Dennoch verbrauchen sie viel Platz, da sie sechs Transistoren verwenden, um ein Bit abzuspeichern. Die neue Speichertechnologie von IMB ist eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory). Sie besitzt Zugriffzeiten von 1,5 Nanosekunden. Im Vergleich zu geläufigem DRAM, welches zur Aufnahme von Informationen etwa zehn bis zwölf Nanosekunden benötigt, ist eDRAM um weiten schneller[70]. Obwohl eDRAM etwas langsamer als SRAM ist, besteht dennoch die Möglichkeit die Prozessorgeschwindigkeit zu erhöhen. Aufgrund der größeren Kapazität des Caches ist es statistisch wahrscheinlicher, dass die Daten, die der Prozessor anfordert, bereits im Cache vorhanden ist. Folglich müssten weniger zusätzliche Daten aus dem langsamen Arbeitsspeicher im Vergleich zu SRAM geladen werden. Die eDRAM Technologie benötigt etwa zwei Drittel weniger Platz und spart 80 % an Strom im Standby Modus als SRAM. Mit den eDRAMs von NEC könnte man den Cache von einigen Intel Prozessoren um das fünffache vergrößer. So würde der L2 Cache im Core 2 Duo von Intel statt 4 20 MB groß sein und beim Dual Core Itanium wären 120 MB anstatt 24 MB möglich[69]. 7 Anwendungsfelder 7.1 Datensicherung und Archivierung Enorme Kapazitäten und hohe Datenraten lassen optische Speichermedien auch für die Datensicherung und Archivierung wieder interessant werden. Große Datenmengen können wieder auf einem oder wenigen Datenträgern gespeichert werden. Weiterer Vorteil der Disks ist eine lange Haltbarkeit, bei richtiger Lagerung, und der vergleichbar geringe Platzbedarf. Hauptkandidaten, die diese Vorteile erfüllen könnten sind HVD und PCD, die Kapazitäten von mehreren Terabyte erreichen sollen, mit der Größe einer handelsüblichen CD. Die hohen Datenraten versprechen außerdem eine schnelle Datensicherung. Im Bereich der Datensicherung ist SSD auch vertreten. Auch wenn es sich vorerst Paradox anhört dass ein Speicher, der auf 1 Millionen Schreibzyklen begrenzt ist, als Datensicherung zu verwenden, doch auch die SSD hat da ihre Vorteile. Texas Memory Systems hat ein Storagesystem entwickelt welches derzeit durch die hohen Datenübertragungsraten als schnellstes System gilt. Das System ist mit 5TByte ausgelegt. Der Datendurchsatz wird aufgrund der gebündelten FibreChannels und der schnellen SSDs bei 24Gbit/s liegen. Ein Preis zu dem das Gerät auf den Markt kommen wird ist noch nicht bekannt. Solche Storagesysteme sind z.B. für Filmproduktionen interressant. Dort fallen durch HD-Aufnahmen o.Ä. sehr große Datenmengen an, die möglichst schnell abgespeichert werden sollen und somit eine hohe Datenübertragungsrate benötigen. Es wäre auch denkbar die Aufnahmen in Echtzeit auf den Systemen zu speichern[71]. IBM entwickelt derzeit ein System, welches mit Hilfe von SSDs als Cache für den Storage arbeitet. Systemadministratoren wird es möglich sein häufig verwendete Daten zu selektieren, die dann mittels 6.4.2.2 Embedded Dynamic Random Access Memory 30 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder SSD-Data-Balancer-Softwaretools auf dem SSD-Cache abgelegt werden und verwaltet werden. Ein weiterer Vorteil von SSDs ist der, dass sie sich zu fast 100% ausnutzen lassen ohne spürbare Systemleistung zu verlieren. Herkömmliche Platten können meist nur zu 50% ausgenutzt werden, ab dieser Grenze können Verschlechterungen der Systemleistung herbeigeführt werden. Auch im Datenbankenbereich sind starke Verbesserungen durch SSDs zu verzeichnen. Die Leistung einer DB2-Datenbank lässt sich auf 800% erhöhen mit dem Einsatz von SSDs. Diese Anwendungsmöglichkeiten, lassen darauf schließen dass SSDs sehrwohl im Storage eingesetzt werden. Sie bestechen durch den hohen Datendurchsatz[72]. 7.2 Unterhaltung Schon seit Jahren spielen optische Speichermedien eine sehr große Rolle für die Unterhaltungsindustrie. Mit den neuen Technologien wird sich dies auch noch nicht ändern. 7.2.1 Filme Die meisten neuartigen, optischen Speichermedien werden für den Gebrauch in der Filmindustrie entwickelt und dort Verwendung finden. Durch immer höhere Kapazitäten und steigende Datenraten werden Ladezeiten reduziert und der Weg ist frei für noch höher auflösende Medien. Die HVD, an deren Entwicklung mehrere bekannte Firmen beteiligt sind, wird bereits als der große Nachfolger der Blu-ray Disc gehandelt. In der Tat ist auch Sony an der Entwicklung beteiligt. Durch die enormen Kapazitäten einer HVD kann es z.B. möglich werden eine gesamte TV-Serie auf einer Disk zum Verkauf anzubieten, die bisher auf mehreren DVDs verkauft wurde. Dies lässt jedoch auch vermuten, dass die Technologie besonders in der Einführungsphase sehr hohe Preise mit sich bringt. Auch die VMD wird vor der Filmindustrie nicht zurückschrecken, im Gegensatz erste Filmvorführungen von einer VMD aus liefen schon auf Messen. Da die restliche Technik für Filme nocht nicht so ausgereift ist, dass sich die Nutzung einer HVD für einen einzelnen Film rentieren würde, findet auch die VMD noch ihren Platz. Diese bietet zwar zunächst geringere Kapazitäten, baut jedoch auf die Technologien auf, die bereits von der DVD bekannt sind. Dadurch muss für die VMD nur wenig verändert werden, was die Kosten gering halten wird. 7.2.2 Spiele Auch für die Spieleindustrie, sind optische Speichermedien, die zurzeit wichtigsten Speichermedien. Sie finden sich bei Computerspielen, Playstation 3, XBox 360, Nintendo Wii und auch älteren Konsolen wieder. Für die Spieleindustrie werden besonders die höheren Datenraten neuer, optischer Medien besonders ausschlaggebend sein, da diese geringere Ladezeiten bedeuten. Aber auch die höheren Kapazitäten dürfen nicht unberücksichtigt gelassen werden. Dies konnte man bisher auch in der Entwicklung von z.B. Playstation zur Playstation 3 beobachten. Während die erste Playstation noch auf CDs aufbaute, beizeiten lange Ladezeiten vorwies und unter anderem Spiele besaß, die 3 oder mehr CDs benötigten, setzte die Playstation 2 auf DVDs. Trotz besserer Grafikleistungen und ähnlich komplexen oder langen Spielen benötigte man hier in der Regel nur noch eine DVD und die Ladezeiten verringerten sich spürbar. Die Playstation 3 setzte sogar erstmals die völlig 7.1 Datensicherung und Archivierung 31 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder neue Blu-ray Technologie ein und war gleichzeitig der erste Blu-ray-Player auf dem Markt. Erneut fand man hochauflösendere Spiele mit einer brillianten Grafik vor, die nur den Platz einer Disk benötigten. Ladezeiten wurden die den erneuten Sprung in der Datenrate wieder deutlich verringert. Zur Unterstützung der Leistung der Playstation 3 dient unter anderem der von Rambus enwickelte Arbeitsspeicher XDR DRAM[38]. Des Weiteren dient eDRAM unter anderem in Playstation Portable, Xbox 360 und in einigen Grafikkarten als Cachespeicher[73]. Die HVD soll Datenraten von bis zu 1Gbit/s ermöglichen und würde damit die Datenrate beinahe verdreifachen. Da Sony ebenfalls an der Entwicklung des Mediums beteiligt ist, finden sich im Internet zahlreiche Gerüchte darüber, dass die Playstation 4 auf die HVD-Technologie aufbaut. 7.3 IT-Systeme DDR3 wird, wie DDR2 und DDR auch, von Desktop PCs bis Servern eingesetzt[40]. Heute (Mitte 2009) findet man auf dem Markt einige Systeme, wie Notebooks, PCs, Mainboards und so weiter, die DDR3 unterstützen. Mittelfistig wird sich DDR3, wie es auch bei den DDR Vorgängern der Fall war, durchsetzten. Welche der beiden neuen Speicherzellen FRAM und MRAM sich in den IT System durchsetzten wird kann man nicht voraussagen. Während es FRAM von 40 Millionen mal verkauft wurde, gibt es MRAM von MRAM nur Prototypen, die sich in der Entwicklungsphase befindet. Dennoch sind FRAM als auch MRAM als Arbeitsspeicher in mobilen Geräten wie Handys sowie Rechnern, Spielekonsolen oder Chipkarten vorgesehen. Des Weiteren können sie als Ersatz von Flashspeicher dienen, welches in SSD Festplatten, Speicherkarten und USB Sticks auf dem Markt erscheinen. Wie bereits beschrieben werden die Speicherzellen FRAM und MRAM als Universachspeicher bezeichnet, die somit in fast allen Bereichen der Speichertechnik von Daten vorkommen können. 8 Schlussbetrachtung Die folgenden Speichertechnologien, die im Rahmen dieser Fallstudie behandelt wurden, haben gute Chancen in den nächsten Jahren den Markt zu erobern: HVD, Racetrack-Speicher, DDR3 und eDRAM. Im Bereich der magnetischen Speicher wird es noch einige Zeit dauern bis eine große Veränderungen stattfindet. Zwar wird die klassische Festplatte noch weiterentwickelt werden, allerdings wird es keine plötzlichen Vervielfachungen der Kapazität oder Performance geben. Die Technologie Racetrack sorgt aber für Hoffnung im magnetischen Bereich. Sollte diese Technologie Marktreif werden sorgt sie für völlig neue Dimensionen, was Kapazität, Performance und Zuverlässigkeit angeht. Vielversprechend ist auch die Zukunft des Flashspeichers. Hier sind schon in naher Zukunft große Verbesserungen zu erkennen. Sowohl in der Kapazität als auch bei der Performance. Das einzige Manko was der Flashspeicher immer mit sich bringt, ist die mangelnde Zuverlässigkeit durch die begrenzte Anzahl an Schreibzyklen. Auch hier kann der Racetrackspeicher von IBM überzeugen, er hat wie die klassische Festplatte keine Begrenzung an Schreibzyklen. Auch in der Zukunft wird es Weiterentwicklungen an optischen Speichermedien geben. Durch neue Holografietechnik wird die Speicherkapazität weiter erhöht und könnte demnächst vielleicht die Kapazität von klassischen Festplatten übersteigen. Aufgefallen ist, dass es auch hierbei viele große Sprünge gibt. So war es teilweise schwer zu sagen ob die Technik noch aktuell ist oder schon wieder überholt. Ein Beispiel hierfür ist die Technik, die bei der Digital Multilayer Disc verwendet wird. Diese fand sich zunächst in der Fluorescent Multilayer Disc, dann in der Digital Multilayer Disc und schließlich findet sie sich in der Versatile Multilayer Disc wieder, weshalb es trotz des Projektstopps der DMD noch immer eine aktuelle Technik 7.2.2 Spiele 32 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder ist. Auch über die Entwicklung der Protein-coated Disc ist nicht weiter bekannt ob sie noch läuft oder mittlerweile abgebrochen ist. Einzig die Holographic Versatile Disc scheint ein neues Speichermedium zu sein, dass in jedem Fall den Markt erobern wird. Im Bereich der flüchtigen Speicher sind bereits DDR3 und eDRAM auf dem Markt erhältlich. Die Technologien befinden sich in der Einführungsphase. Doch man kann Heute sagen, dass DDR3 nach und nach DDR2 vom Markt verdrängen wird und andere Technologien es schwer haben sich durch zu setzen. Sie wird so lange am Markt erhalten bleiden bis sie von DDR4 ersezt wird. Die DDR Technologie besitzt einen gewissen Standard bei den Rechnern, die auch in Zukunft erhalten bleibt. Zwar könnte auch XDR DRAM in einem Rechner eingesetzt werden, doch aufgrund der fest etablierten DDR Speichern, die zuverlässig arbeiten, ist es für andere Technologien schwierg sich durch zu sezten. Es gibt (noch) keinen Grund auf die DDR-Reihe zu verzichten. Ausschließ neue Technologien, die im wesentlichen besser sind könnte die Fortsetzung der DDR-Reihe verhindern. Aufgrund der universalen Eigenschaften von MRAM und FRAM könnten sie die Speichertechnologie der Zukunft werden. Doch die ungewisse Entwicklung dieser Technologien lässt keine Rückschlüsse auf den Erfolg in der Zukunft zu. 9 Fußnoten 1. ? Vgl. Microsoft, Abgerufen am: 12.05.2009 http://technet.microsoft.com/de-de/library/bb738146.aspx 2. ? Vgl. c't Artikel 18/2005, Seite 86 3. ? 3,0 3,1 3,2 3,3 3,4 3,5 3,6 Vgl. das ELKO, Abgerufen am: 12.06.2009 17:57 http://www.elektronik-kompendium.de/sites/com/0506201.htm, o.V. 4. ? Vgl. Becker (2005), Seite 285ff 5. ? Vgl. Informatik (2006), W. Riesig J.C. Freytag, Seite 79ff 6. ? Vgl. Gumm (2006), Seite 43 7. ? Vgl. Tanenbaum (2001), Seite 84 und Gumm (2006), Seite 44 8. ? Vgl. Tanenbaum (2001), Seite 82f 9. ? Vgl. Tanenbaum (2001), Seite 83f und Gumm (2006), Seite 45 10. ? Vgl. Oberschlep (2000), Seite 236 11. ? Vgl. Becker (2008), Seite 293 12. ? Vgl. Becker (2008), Seite 308ff 13. ? 13,0 13,1 Vgl. ivnnetwork.com(04.08.2006), Abgerufen am 14.06.2009 13:09 http://www.ivnnetwork.com/press/0195.php, o.V. 14. ? 14,0 14,1 Vgl. absoluteastronomy.com, Abgerufen am 14.06.2009 13:04 http://www.absoluteastronomy.com/topics/Fluorescent_Multilayer_Disc, o.V. 15. ? 15,0 15,1 Vgl. absoluteastronomy.com, Abgerufen am 14.06.2009 13:23 http://www.absoluteastronomy.com/topics/3D_optical_data_storage, o.V. 16. ? 16,0 16,1 Vgl. heise.de (16.03.2005), Abgerufen am 06.06.2009 16:27 http://www.heise.de/newsticker/Vierlagige-DVD-Alternative-speichert-20-GByte--/meldung/57584, Verfasser: Gieselmann, Hartmut 17. ? 17,0 17,1 17,2 17,3 17,4 17,5 17,6 Vgl. TecChannel.de(11.07.2003, Update am 19.11.2003), Abgerufen am 14.06.2009 http://www.tecchannel.de/storage/komponenten/402129/holographische_speichertechnik/, Verfasser: Jeschke, Malte 18. ? Vgl. grcblog.com(03.02.2006), Abgerufen am 14.06.2009 13:53 http://www.grcblog.com/?p=81, Verfasser: Lawrence, Brian 8 Schlussbetrachtung 33 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder 19. ? Vgl. grcblog.com(27.04.2009), Abgerufen am 14.06.2009 13:53 http://www.grcblog.com/?p=779, Verfasser: Lawrence, Brian 20. ? 20,0 20,1 Vgl. InPhase, Abgerufen am 14.06.2009 13:56 http://www.inphase-technologies.com/products/media.asp?subn=3_2, o.V. 21. ? 21,0 21,1 Vgl. HVD-World.de, Abgerufen am 14.06.2009 14:01 http://www.hvd-world.de/was-ist-hvd-1.php, o.V. 22. ? 22,0 22,1 22,2 22,3 Vgl. HVD-Forum.org, Abgerufen am 14.06.2009 14:10 http://www.hvd-forum.org/abouthvd/technology.html, o.V. 23. ? Vgl. HVD-Forum.org, Abgerufen am 14.06.2009 14:10 http://www.hvd-forum.org/index.html, o.V. 24. ? 24,0 24,1 Vgl. engadget.com (12.07.2006), Abgerufen am: 07.06.2009 http://www.engadget.com/2006/07/12/protein-coated-discs-could-enable-50tb-capacities/, Verfasser: Blass, Evan 25. ? 25,0 25,1 25,2 25,3 25,4 Vgl. stern.de (10.09.2007), Abgerufen am 07.06.2009 15:17 http://www.stern.de/computer-technik/technik/:Speichermedien-Die-Eiwei%DF-Scheibe/597282.html, Verfasser: Lauerer, Matthias 26. ? Vgl. Heise (27.01.2009), Abgerufen am 01.05.2009 von http://www.heise.de/newsticker/Erste-2-TByte-Festplatte-offiziell-angekuendigt--/meldung/122441, Verfasser: Feddern, Boi 27. ? Vgl. Heise (21.04.2009), Abgerufen am 01.05.2009 von http://www.heise.de/newsticker/Serverfestplatte-mit-64-MByte-Cache--/meldung/136501, Verfasser: Feddern, Boi 28. ? Vgl. das ELKO(2009), Abgerufen am 11.06.2009 von http://www.elektronik-kompendium.de/sites/com/1207051.htm, Verfasser: Patrick Schnabel 29. ? Vgl. TecChannel(23.07.2007), Abgerufen am 12.05.2009 von http://www.tecchannel.de/storage/komponenten/486309/hybrid_festplatte_im_test_schneller_durch_flash/, Verfasser: Christian Vilsbeck 30. ? Vgl. WinFuture(09.04.2007), Abgerufen am 12.05.2009 von http://winfuture.de/magazin/Hybrid-Festplatten-Was-bringen-sie-wirklich-Ein-erster-Test-31060-1.html, Verfasser: Roland Quandt 31. ? Vgl. Computerbase (31.03.2009), Abgerufen am 01.05.2009 von http://www.computerbase.de/lexikon/Racetrack-Speicher, Verfasser: Bernd Schöne 32. ? Vgl. SearchStorage(19.09.2008), Abgerufen am 11.06.2009 von http://www.searchstorage.de/themenbereiche/storage-hardware/forschung-und-wissenschaft/articles/145440/, Verfasser: Rainer Graefen 33. ? Vgl. SearchStorage (20.11.2007), Abgerufen am 11.06.2009 von http://www.searchstorage.de/themenbereiche/storage-hardware/fundamente/articles/98674/, Verfasser: Bernd Schöne 34. ? Vgl. SearchStorage(30.11.2008), Abgerufen am 11.06.2009 von http://www.searchstorage.de/themenbereiche/storage-hardware/forschung-und-wissenschaft/articles/155840/index3 Verfasser: Rainer Graefen 35. ? Vgl. SearchStorage(30.11.2008), Abgerufen am 11.06.2009 von http://www.searchstorage.de/themenbereiche/storage-hardware/forschung-und-wissenschaft/articles/155840, Verfasser: Rainer Graefen 36. ? Vgl. Computerwoche(08.01.2009), Abgerufen am 12.06.2009 von http://www.computerwoche.de/knowledge_center/notebook_pc/1883495/, Verfasser: pte 37. ? Vgl. heise.de (10.07.2003), Abgerufen am 30.05.2009 von http://www.heise.de/newsticker/Rambus-praesentiert-XDR-Speicher--/meldung/38448, Verfasser: o. V. 38. ? 38,0 38,1 Vgl. http://www.tecchannel.de/pc_mobile/komponenten/402085/arbeitsspeicher_die_neuen_standards_im_ueberblick/in und http://www.rambus.com/us/products/rdram/index.html 9 Fußnoten 34 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder 39. ? 39,0 39,1 Vgl. tecchannel.de (20.12.2002),Abgerufen am 30.05.2009 von http://www.tecchannel.de/pc_mobile/komponenten/402085/arbeitsspeicher_die_neuen_standards_im_ueberblick/in Verfasser: Haluschak, Bernhard 40. ? 40,0 40,1 Vgl. tec channel (25.11.2004), Abgerufen am 06.06.2009 von http://www.tecchannel.de/pc_mobile/komponenten/402085/arbeitsspeicher_die_neuen_standards_im_ueberblick/in 41. ? Vgl. JEDEC, Abgerufen am 06.06.2009 von http://www.jedec.org/Home/about_jedec.cfm 42. ? Vgl. tweakpc (02.07.2007), Abgerufen am 06.06.2009 von http://www.tweakpc.de/news/11985/jedec-ddr3-standard-veroeffentlicht/ 43. ? Vgl. OCZ Technology, Abgerufen am 06.06.2009 von http://www.ocztechnology.com/aboutocz/, Verfasser: o. V. 44. ? Vgl. GameStar Hardware (20.07.2007), Abgerufen am 06.06.2009 von http://www.gamestar.de/hardware/news/1472126/ocz.html, Verfasser: Wieselsberger, Georg 45. ? Vgl. Computer Base (03.06.2009), Abgerufen am 06.06.2009 von http://www.computerbase.de/lexikon/Dynamic_Random_Access_Memory#Prefetch, Verfasser: o. V. und Vgl. tec channel (25.11.2004), Abgerufen am 06.06.2009 von http://www.tecchannel.de/pc_mobile/komponenten/402085/arbeitsspeicher_die_neuen_standards_im_ueberblick/in Verfasser: Haluschak, Bernhard 46. ? Vgl. Computer Base (18.06.2004), Abgerufen am 07.06.2009 von http://www.computerbase.de/artikel/hardware/arbeitsspeicher/2004/bericht_ddr2_die_grundlagen/2/, Verfasser: Rißka, Volker 47. ? Vgl. Tom's Hardware (24.01.2008), Abgerufen am 07.06.2009 von http://www.tomshardware.com/de/DDR3-1800-RAM,testberichte-239933-2.html, Verfasser: Schmid, Patrick und Roos, Achim 48. ? Vgl. chip online (31.05.2007), Abgerufen am 07.06.2009 von http://www.chip.de/artikel/Im-Vergleich-DDR3-und-DDR2-Speicher_26646930.html, Verfasser: Ilmberger, Andy 49. ? Vgl. c't Artikel 11/2009, Seite 30 und http://www.google.de/products?q=PC3-8500&scoring=p und http://www.google.de/products?q=PC3-10600&scoring=p 50. ? 50,0 50,1 Rankl (2008), Seite 98 51. ? Computerwoche (09.02.2009), Abgerufen am 10.06.2009 von http://www.computerwoche.de/knowledge_center/notebook_pc/1886624/, Verfasser: o. V. 52. ? c't 8/2005, Seite 48 53. ? c't 8/2005, Seite 48 54. ? Vgl. das ELKO, Abgerufen am 11.06.2009 von http://www.elektronik-kompendium.de/sites/com/0610041.htm, Verfasser: o. V. und Vgl. tec channel (22.08.2003), Abgerufen am 11.06.2009 von http://www.tecchannel.de/storage/extra/402142/zukuenftige_speichertechnologien_teil_2/index2.html, Verfasser: Strass, Hermann 55. ? 55,0 55,1 Vgl. pressetext austria (09.02.2009), Abgerufen am 11.06.2009 von http://pressetext.at/news/090209024/durchbruch-bei-entwicklung-kuenftiger-speicher/?phrase=feram, Verfasser: List, Andreas 56. ? Vgl. elektronik industrie 9/2004, Seite 42 und Vgl. BusinessWire (09.02.2009), Abgerufen am 11.06.2009 von http://www.businesswire.com/portal/site/home/permalink/?ndmViewId=news_view&newsId=20090209006515&n Verfasser: o. V. und Vgl. Ishiwara (2004), Seite 199f 9 Fußnoten 35 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder 57. ? Vgl. innovations report (16.06.2003), Abgerufen am 11.06.2009 von http://www.innovations-report.de/html/berichte/veranstaltungen/bericht-62909.html, Verfasser: Schoenrock, Reiner 58. ? Vgl. Planet RCS, Abgerufen am 11.06.2009 von http://www.planet-rcs.de/article/ram4/, Verfasser: Madlo, Robert 59. ? Vgl. heise.de (19.07.2006), Abgerufen am 12.06.2009 von http://www.heise.de/tr/Was-lange-waehrt--/artikel/75633, Verfasser: Greene, Kate 60. ? Vgl. elektronik industrie 9/2004, Seite 42f 61. ? Vgl. heise.de (19.07.2006), Abgerufen am 12.06.2009 von http://www.heise.de/tr/Was-lange-waehrt--/artikel/75633, Verfasser: Greene, Kate 62. ? 62,0 62,1 62,2 Vgl. c't 18/2005, Seite 87f 63. ? Vgl. tec channel (29.08.2003), Abgerufen am 12.06.2009 von http://www.tecchannel.de/storage/extra/402168/zukuenftige_speichertechnologien_teil_3/index2.html, Verfasser: Strass, Hermann 64. ? Vgl. heise online (30.07.2005), Abgerufen am 12.06.2009 von http://www.heise.de/newsticker/MRAM-Rekord-Speicherzelle-schaltet-mit-2-GHz--/meldung/62285, Verfasser: Strass, Hermann 65. ? Vgl. tec channel (22.08.2003), Abgerufen am 12.06.2009 von http://www.tecchannel.de/storage/extra/402142/zukuenftige_speichertechnologien_teil_2/index5.html, Verfasser: Strass, Hermann 66. ? Vgl. University of Notre Dame, Abgerufen am 13.06.2009 von http://www.cse.nd.edu/~pim/projects.html, Verfasser: o. V. 67. ? Vgl. Rauchwerger (2004), Seite 207 68. ? Vgl. tec channel (18.04.2006), Abgerufen am 13.06.2009 von http://www.tecchannel.de/server/hardware/437111/wechsel_an_der_spitze_intels_neue_core_prozessoren/index11 Verfasser: Vilsbeck, Christian 69. ? 69,0 69,1 Vgl. Computer Base (15.02.2007), Abgerufen am 13.06.2009 von http://www.computerbase.de/news/hardware/prozessoren/ibm/2007/februar/ibm_edram_3x_caches/, Verfasser: Hübner, Thomas 70. ? Vgl. Computerwoche (14.02.2007), Abgerufen am 13.06.2009 von http://www.computerwoche.de/knowledge_center/notebook_pc/588050/, Verfasser: o. V. 71. ? Vgl. Golem (26.05.2009), Abgerufen am 12.06.2009 von http://www.golem.de/0904/66659.html, Verfasser: ji 72. ? Vgl. Golem (22.04.2009), Abgerufen am 12.06.2009 von http://www.golem.de/0905/67345.html, Verfasser: ji 73. ? Vgl. Computer Base (21.04.2007), Abgerufen am 13.06.2009 von http://www.computerbase.de/artikel/hardware/multimedia/2007/test_sony_playstation_3/5/, Verfasser: Hüber, Frank und Vgl. Computer Base (01.09.2005), Abgerufen am 13.06.2009 von http://www.computerbase.de/artikel/hardware/multimedia/2005/test_sony_playstation_portable/3/, Verfasser: Wisnia, Pierre und Huber, Tobias und Vgl. tec channel (13.05.2005), Abgerufen am 13.06.2009 von http://www.tecchannel.de/pc_mobile/news/430082/microsoft_xbox_360_daten_und_fakten/, Verfasser: o. V. 9 Fußnoten 36 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder 10 Quellenverzeichnis Becker, Drechsler, Molitor (2005) Blass (2006) Brian (2006, 2009) c't 8/2005 elektronik industrie 9/2004 Becker, Drechsler, Molitor: Technische Informatik, Pearson Studium, München Blass: http://www.engadget.com Brian: http://www.grcblog.com Meyer, Angela: Philips präsentiert neuartigen Phasenübergangsspeicher, Heise Zeitschriften Verlag, Hannover Vollmer, Alfred: Speicher von Heute, Morgen + Übermorgen, Hüthig Verlag, Heidelberg Gieselmann, Boi, Greene Gieselmann, Boi, Greene: http://www.heise.de (2005, 2009) Graefen, Schöne (2007, 2008) Graefen, Schöne: Uhttp://www.searchstorage.de Ilmberger (2007) Ilmberger: http://www.chip.de Ishiwara, Hiroshi; Okuyama, Masanori; Arimoto, Yoshihiro: Ferroelectric Ishiwara, Hiroshi (2004) Random Access Memories, Springer Verlag, Berlin Jeschke, Vilsbeck, Haluschak, Strass (2002, 2003, 2004, 2006, Jeschke, Vilsbeck, Haluschak, Strass: http://www.tecchannel.de 2007) Lauerer (2007) Lauerer: http://www.stern.de List (2009) List: http://pressetext.at Madlo (2009) Madlo: http://www.planet-rcs.de o.V (2006) o.V: http://www.ivnnetwork.com/ o.V (2007) o.V: http://www.tweakpc.de o.V (2009) Microsoft: http://technet.microsoft.com/ o.V (2009) o.V: http://www.absoluteastronomy.com/ o.V (2009) o.V: http://www.inphase-technologies.com o.V (2009) o.V: http://www.hvd-world.de o.V (2009) o.V: http://www.hvd-forum.org o.V (2009) o.V: http://www.computerwoche.de o.V (2009) o.V: http://www.rambus.com o.V (2009) o.V: http://www.jedec.org o.V (2009) o.V: http://www.cse.nd.edu/ o.V (2009) o.V: http://www.golem.de/ o.V (2009) o.V: http://www.businesswire.com o.V (2009) o.V: http://www.ocztechnology.com/ Quandt (2007) Quandt: http://winfuture.de Rauchwerger, Lawrence: Languages and compilers for parallel computing, Rauchwerger, Lawrence (2004) Springer Verlag, Berlin Rankl, Wolfgang; Effing, Wolfgang: Handbuch der Chipkarten, 5. Auflage, Carl Rankl, Wolfgang (2008) Hanser Verlag, München Schmid (2008) Schmid: http://www.tomshardware.com Schnabel (2009) Schnabel: http://www.elektronik-kompendium.de/ 10 Quellenverzeichnis 37 Zukünftige_Speichertechnologien_und_ihre_Anwendungsfelder Schöne, Hübner, Hüber, Pierre Schöne, Hübner, Hüber, Pierre: http://www.computerbase.de (2005, 2007, 2009) Schoenrock (2009) Schoenrock: http://www.innovations-report.de Tanenbaum, Andrew S.; Goodman, James: Computerarchitektur, 4. Auflage, Tanenbaum, Andrew S. (2001) Pearson Studium, München Wieselsberger (2007) Wieselsberger: http://www.gamestar.de/hardware/news/1472126/ocz.html 10 Quellenverzeichnis 38