A E D B – FACULDADE DE ENGENHARIA DE RESENDE Curso de

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A E D B – FACULDADE DE ENGENHARIA DE RESENDE Curso de
A E D B – FACULDADE DE ENGENHARIA DE RESENDE
Curso de Engenharia Elétrica – Eletrônica – Laboratório de Eletrônica I – 3º Ano
Prof. Alvaro Cesar Otoni Lombardi
1
PROCEDIMENTOS PARA TESTAR POLARIZAÇÃO BEM COMO IDENTIFICAR
OS TERMINAIS DOS TRANSISTORES.
1. INTRODUÇÃO
Os TJBs podem ter duas polarizações: NPN (mais comum) e PNP.
Ambos, NPN e PNP, possuem três terminais (B – base, C – coletor e E – emissor).
2. OBJETIVO
O objetivo do experimento é complementar de forma prática e elucidativa a
experiência nº 1 IDENTIFICAÇÃO DO TIPO DE TRANSISTOR E DOS PINOS CORRESPONDENTES.
3. MATERIAL E MÉTODOS
Os transistores sob testes ou verificação serão:
2N3904, 2N3906, 2N3055 e TIP41C
O transistor 2N3904 na forma de montagem em furos na placa de circuito impresso (PCI),
se apresenta com o encapsulamento TO-92. Figura 1
O transistor 2N3906 na forma de montagem em furos na PCI se apresenta com o
encapsulamento TO-92. Figura 1
O transistor TIP 41 na forma de montagem em furos na PCI ou não, que pode estar
associado a um dissipador se apresenta com o encapsulamento TO-220. Figura 1
O transistor 2N3055 na forma de montagem em furos na PCI ou não, que pode estar
associado a um dissipador se apresenta com o encapsulamento TO-3 Figura 1.
(a)
(b)
(c)
Figura 1 – (a) encapsulamento TO-92, (b) encapsulame nto TO-22 e (c) encapsulamento TO-3
3.1.
Identificação do transistor no modo convencional conforme apresentado no roteiro.
3.1.1.
Identificar a base dos transistores.
3.1.2.
Usando o método sugerido pelo roteiro da experiência nº1, medir e anotar na tabela 1
os valores encontrados pelo método convencional.
3.1.3.
De posse desses valores, preencha a tabela – 2, identificando os pinos de cada um dos
transistores sob teste.
Observação: Quanto maior a potência do transistor, por limitações construcionais, menor é o
hFE ou o β do transistor. Com isso, a dopagem entre base-emissor e base-coletor
praticamente se igualam inviabilizando as medidas convencionais (seja pelo multímetro
analógico ou digital).
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Tabela – 1: Identificação dos terminais dos transistores
2N3904
2N3906
Método
B–1
B–2
B–1
B–2
TIP42
B–1
2
2N3055
B–2
B–1
B–2
Digital
(V)
Analógico
(Ω)
Fonte – Resultados a serem colhidos em experiência prática no laboratório.
Tabela – 2 Resultado da identificação dos pinos dos transistores
Trans.
Pinos
1
2
3
2N3904
2N3906
TIP42
2N3055
Fonte – Resultados a serem preenchidos após a experiência prática no laboratório.
3.2.
Usando o recurso do resistor para identificar o coletor e o emissor do transistor:
(a)
(b)
Figura 2 – circuito (a) ligando a resistência da base ao ponto 1 (b) ligando a resistência da base ao ponto 1
3.2.1.
Com um resistor no valor aproximado de 4k 7Ω ou 5k 6Ω monte o circuito da figura
2 (a);
3.2.2.
Usando um ohmímetro analógico na escala X10, meça entre os pontos 1 e 2,
lembrando-se de fazer duas medidas invertendo as pontas de prova nos pontos de
medida e descartar o valor mais alto;
3.2.3.
Anote o valor ôhmico anote o valor ôhmico mais baixo encontrado entre os pontos 1
e 2.
3.2.4.
Mude o resistor do ponto 1 para o ponto 2 mantendo a outra extremidade desse
resistor na base.
3.2.5.
Repita os passos 2 e 3.
4. CONCLUSÃO
O valor mais baixo das duas medidas (resistor no ponto 1 ou resistor no ponto 2),
indicará o coletor do transistor.
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Tabela 3 – valores encontrados usando o método da resistência.
Transistor
Terminais
2N3904
1–2
1–2
2N3906
1–2
1–2
TIP42
1–2
1–2
2N3055
1–2
1–2
Usando
o
resistor (kΩ)
Fonte – Resultados a serem colhidos em experiência prática no laboratório.
4.1.
Discussão
Explique porque o arranjo da figura 2 é capaz de identificar com tanta qualidade o
coletor e o emissor de um transistor