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A E D B – FACULDADE DE ENGENHARIA DE RESENDE Curso de Engenharia Elétrica – Eletrônica – Laboratório de Eletrônica I – 3º Ano Prof. Alvaro Cesar Otoni Lombardi 1 PROCEDIMENTOS PARA TESTAR POLARIZAÇÃO BEM COMO IDENTIFICAR OS TERMINAIS DOS TRANSISTORES. 1. INTRODUÇÃO Os TJBs podem ter duas polarizações: NPN (mais comum) e PNP. Ambos, NPN e PNP, possuem três terminais (B – base, C – coletor e E – emissor). 2. OBJETIVO O objetivo do experimento é complementar de forma prática e elucidativa a experiência nº 1 IDENTIFICAÇÃO DO TIPO DE TRANSISTOR E DOS PINOS CORRESPONDENTES. 3. MATERIAL E MÉTODOS Os transistores sob testes ou verificação serão: 2N3904, 2N3906, 2N3055 e TIP41C O transistor 2N3904 na forma de montagem em furos na placa de circuito impresso (PCI), se apresenta com o encapsulamento TO-92. Figura 1 O transistor 2N3906 na forma de montagem em furos na PCI se apresenta com o encapsulamento TO-92. Figura 1 O transistor TIP 41 na forma de montagem em furos na PCI ou não, que pode estar associado a um dissipador se apresenta com o encapsulamento TO-220. Figura 1 O transistor 2N3055 na forma de montagem em furos na PCI ou não, que pode estar associado a um dissipador se apresenta com o encapsulamento TO-3 Figura 1. (a) (b) (c) Figura 1 – (a) encapsulamento TO-92, (b) encapsulame nto TO-22 e (c) encapsulamento TO-3 3.1. Identificação do transistor no modo convencional conforme apresentado no roteiro. 3.1.1. Identificar a base dos transistores. 3.1.2. Usando o método sugerido pelo roteiro da experiência nº1, medir e anotar na tabela 1 os valores encontrados pelo método convencional. 3.1.3. De posse desses valores, preencha a tabela – 2, identificando os pinos de cada um dos transistores sob teste. Observação: Quanto maior a potência do transistor, por limitações construcionais, menor é o hFE ou o β do transistor. Com isso, a dopagem entre base-emissor e base-coletor praticamente se igualam inviabilizando as medidas convencionais (seja pelo multímetro analógico ou digital). A E D B – FACULDADE DE ENGENHARIA DE RESENDE Curso de Engenharia Elétrica – Eletrônica – Laboratório de Eletrônica I – 3º Ano Prof. Alvaro Cesar Otoni Lombardi Tabela – 1: Identificação dos terminais dos transistores 2N3904 2N3906 Método B–1 B–2 B–1 B–2 TIP42 B–1 2 2N3055 B–2 B–1 B–2 Digital (V) Analógico (Ω) Fonte – Resultados a serem colhidos em experiência prática no laboratório. Tabela – 2 Resultado da identificação dos pinos dos transistores Trans. Pinos 1 2 3 2N3904 2N3906 TIP42 2N3055 Fonte – Resultados a serem preenchidos após a experiência prática no laboratório. 3.2. Usando o recurso do resistor para identificar o coletor e o emissor do transistor: (a) (b) Figura 2 – circuito (a) ligando a resistência da base ao ponto 1 (b) ligando a resistência da base ao ponto 1 3.2.1. Com um resistor no valor aproximado de 4k 7Ω ou 5k 6Ω monte o circuito da figura 2 (a); 3.2.2. Usando um ohmímetro analógico na escala X10, meça entre os pontos 1 e 2, lembrando-se de fazer duas medidas invertendo as pontas de prova nos pontos de medida e descartar o valor mais alto; 3.2.3. Anote o valor ôhmico anote o valor ôhmico mais baixo encontrado entre os pontos 1 e 2. 3.2.4. Mude o resistor do ponto 1 para o ponto 2 mantendo a outra extremidade desse resistor na base. 3.2.5. Repita os passos 2 e 3. 4. CONCLUSÃO O valor mais baixo das duas medidas (resistor no ponto 1 ou resistor no ponto 2), indicará o coletor do transistor. A E D B – FACULDADE DE ENGENHARIA DE RESENDE Curso de Engenharia Elétrica – Eletrônica – Laboratório de Eletrônica I – 3º Ano Prof. Alvaro Cesar Otoni Lombardi 3 Tabela 3 – valores encontrados usando o método da resistência. Transistor Terminais 2N3904 1–2 1–2 2N3906 1–2 1–2 TIP42 1–2 1–2 2N3055 1–2 1–2 Usando o resistor (kΩ) Fonte – Resultados a serem colhidos em experiência prática no laboratório. 4.1. Discussão Explique porque o arranjo da figura 2 é capaz de identificar com tanta qualidade o coletor e o emissor de um transistor
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