Apresentação CEMUP
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Apresentação CEMUP
12-03-2010 SEMAT / UM Implementação da técnica EBSD no CEMUP Centro de Materiais da Universidade do Porto (CEMUP) Rui Rocha [email protected] Resumo 1. Introdução e Objectivos 2. Fundamentos da técnica EBSD (SEM: Radiações de interesse para EBSD; Padrões de Kikuchi) 3. Procedimentos experimentais (Sistema EBSD do CEMUP; Condições experimentais; Preparação de amostras; Calibração do sistema) 4. Métodos de análise (Análise pontual da fase; Análise OIM) 5. Limitações e Causas de erro (Resolução espacial; Topografia da amostra; Composição química; Pseudosimetria; BD cristalografia) 6. Conclusões 2 1 12-03-2010 1. Introdução e Objectivos Centro de Materiais da Universidade do Porto (CEMUP) • Integrado na Rede Nacional de Microscopia Electrónica (RNME) • Prestação de serviços à comunidade científica na área da caracterização morfológica, microanalítica e microestrutural de materiais • Instalação em 2007 de um novo SEM, que integra um sistema de microanálise por raios-X do tipo EDS e um sistema de análise de padrões de difracção de electrões rectrodifundidos (EBSD) Abordagem ao EBSD • Formação na técnica EBSD • Implementação e sistematização de procedimentos experimentais • Operacionalização do sistema EBSD da EDAX existente no CEMUP Partilha da experiência adquirida 3 2. Fundamentos Técnicas de difracção para caracterização de materiais • Têm em comum a análise da interacção elástica entre radiação incidente e a estrutura cristalina da materia • Tipos de radiação utilizadas para estudos de difracção em materiais: Radiação Carga Eléctrica Gama de Energias Comprimentos de onda Raios-X Não 1 a 25 keV 10 a 0.5 Å Electrões EBSD Sim 0.1 a 30 keV 1.3 a 0.07 Å TEM Sim 100 a 500 keV 0.04 a 0.01 Å 0.1 a 10 meV 30 a 3 Å Frios Neutrões Térmicos Não Quentes Radiação de sincrotrão Não 10 a 100 meV 3a1Å 100 a 1000 meV 1 a 0.3 Å 0.1 eV a 1.0 MeV 0.1mm a 0.01 Å 4 2 12-03-2010 2. Fundamentos: Orientações Cristalográficas e Desorientação Sistema de referência da amostra RD – Reference direction TD – Transverse direction ND – Normal direction Ângulos de Euler (formalismo de Bunge) 5 2. Fundamentos: Orientações Cristalográficas e Desorientação Formalismo do Eixo/Ângulo • Fundamentado no teorema de Euler para a rotação. • Matriz de rotação associada: 2 2 R (dˆ , ω ) = (1 − d 1 ) cos ω + d1 d 1 d 2 (1 − cos ω ) − d 3 sin ω d1 d 3 (1 − cos ω ) + d 2 sin ω d1 d 2 (1 − cos ω ) + d 3 sin ω (1 − d ) cos ω + d d 2 d 3 (1 − cos ω ) − d 1 sin ω 2 2 2 2 d1 d 3 (1 − cos ω ) − d 2 sin ω d 2 d 3 (1 − cos ω ) + d1 sin ω (1 − d 32 ) cos ω + d 32 Vector de Rodrigues-Frank • Rotação descrita por um vector, paralelo ao eixo de rotação usado no formalismo Eixo/ângulo • Norma do vector de Rodrigues-Frank caracteriza o ângulo de rotação: r r ω R = d tan 2 6 3 12-03-2010 2. Fundamentos: Orientações Cristalográficas e Desorientação Figuras de Pólos Figuras de Pólos Inversas • Construção semelhante à figura de pólos, mas neste caso é representada uma direcção do referencial da amostra no sistema de eixos do cristal. 7 2. Fundamentos: SEM – Radiações de interesse para EBSD • Utiliza um feixe de electrões como radiação incidente • Da interacção entre os electrões do feixe incidente com o material resultam radiações que permitem a caracterização da amostra: Imagiologia (topografia, distribuição elementar) Espectroscopia (composição química) Difracção electrónica (estrutura cristalina) 8 4 12-03-2010 2. Fundamentos: SEM – Electrões Rectrodifundidos • Coeficiente de rectrodifusão depende do número atómico médio do material η ER(Z) 0.6 0.5 0.4 • Imagens de electrões rectrodifundidos 0.3 0.2 • Direcção de rectrodifusão corresponde à direcção especular relativamente à orientação feixe-amostra • Interacção com a rede cristalina introduz perturbações nas direcções de emergência EBSD Incidência normal η ER (θ ) = (1 + cos θ )− 0.1 9 Z 0 0 20 40 60 80 100 Z Incidência segundo um ângulo α 9 2. Fundamentos: Difracção de Electrões RectroDifundidos (EBSD) • EBSD é uma técnica complementar do SEM • Fonte de radiação primária: feixe de electrões do SEM • Da interacção elástica electrões-amostra resultam padrões nos ângulos de emergência dos ER • Análise dos padrões adquiridos permite caracterizar as simetrias associadas à estrutura cristalina • Análise pontual permite caracterizar • Estrutura cristalina • Orientação local do cristal • Análise extensiva (OIM) • Permite obter informações estruturais (grãos, fronteiras de grão, texturas) 10 5 12-03-2010 2. Fundamentos: EBSD – Padrões de Kikuchi • Comprimento de onda de de Broglie associado aos electrões h λe = eV 2m0 eV 1 + 2 2 m0 c • Lei de Bragg para a difracção nλ = 2d .senθ 11 2. Fundamentos: EBSD – Padrões de Kikuchi Padrão de Kikuchi obtido numa amostra de aço (Fe,Ni,Cr) 12 6 12-03-2010 2. Fundamentos: EBSD – Padrões de Kikuchi • Padrões: elementos de simetria e orientação Bandas Planos cristalográficos Ângulos entre bandas Orientação relativa entre planos cristalográficos (ângulos entre planos cristalográficos) Largura das bandas Distâncias interplanares Pólos Intercepção das bandas Orientação Contraste do padrão Factor de estrutura dos planos Posição absoluta do padrão Orientação absoluta no sistema EBSD 13 2. Fundamentos: EBSD – Processamento do Padrões de Kikuchi Transformada de Hough (Transformada de Radon) ρ = xi . cos θ + yi . sin θ 14 7 12-03-2010 Resumo 1. Introdução e Objectivos 2. Fundamentos da técnica EBSD (SEM: Radiações de interesse para EBSD; Padrões de Kikuchi) 3. Procedimentos experimentais (Sistema EBSD do CEMUP; Condições experimentais; Preparação de amostras; Calibração do sistema) 4. Métodos de análise (Análise pontual da fase; Análise OIM) 5. Limitações e Causas de erro (Resolução espacial; Topografia da amostra; Composição química; Pseudosimetria; BD cristalografia) 6. Conclusões 15 3. Proc. experimentais: Sistema EBSD existente no CEMUP Detector FSD Inclinação da amostra (θ θ) 70º Elevação da câmara EBSD (δ δ) 10º Distância de trabalho (WD) 10mm Distância amostra-detector EBSD (Z) aprx. 30mm 16 8 12-03-2010 3. Proc. experimentais: Condições experimentais • SEM: Tensão de aceleração e Corrente do feixe electrónico • Câmara EBSD: Tempo de exposição, Ganho, “Binning” • Processamento • Subtracção do fundo • Suavização (“Averaging”) Sem correcção do fundo Exposição de 0.45s Som correcção do fundo Exposição de 0.45s Com correcção do fundo Exposição de 0.03s 17 3. Proc. experimentais: Imagens com detector FSD Detector FSD Melhor posição para captura de padrões ≠ Melhor posição para imagem FSD 18 9 12-03-2010 3. Proc. experimentais: Imagens com detector FSD Imagem IR do interior do sistema Afastamento: 0.0 mm Imagem com detector FSD 19 3. Proc. experimentais: Imagens com detector FSD Imagem IR do interior do sistema Afastamento: 0.5 mm Imagem com detector FSD 20 10 12-03-2010 3. Proc. experimentais: Imagens com detector FSD Imagem IR do interior do sistema Afastamento: 1.0 mm Imagem com detector FSD 21 3. Proc. experimentais: Imagens com detector FSD Imagem IR do interior do sistema Afastamento: 1.5 mm Imagem com detector FSD 22 11 12-03-2010 3. Proc. experimentais: Imagens com detector FSD Imagem IR do interior do sistema Afastamento: 2.5 mm Imagem com detector FSD 23 3. Proc. experimentais: Imagens com detector FSD Imagem IR do interior do sistema Afastamento: 3.5 mm Imagem com detector FSD 24 12 12-03-2010 3. Proc. experimentais: Imagens com detector FSD Imagem IR do interior do sistema Afastamento: 4.5 mm Imagem com detector FSD 25 3. Proc. experimentais: Imagens com detector FSD Imagem IR do interior do sistema Afastamento: 5.5 mm Imagem com detector FSD 26 13 12-03-2010 3. Proc. experimentais: Imagens com detector FSD 0.0 mm 0.5 mm 1.0 mm 1.5 mm 2.5 mm 3.5 mm 4.5 mm 5.5 mm Sequência de imagens obtidas com detector FSD 27 Procedimentos experimentais: Calibração do EBSD Determinação do centro do padrão (PC) na câmara Método convencional • Utiliza amostra de referência: monocristalina, estrutura cristalina e orientação conhecidas. • Desvantagem: possíveis erros na colocação da amostra! Método do movimento do detector • Compara padrões obtidos com diferentes posições do detector: ponto PC é o único invariante. • Pode ser usado com qualquer amostra, mesmo sem conhecer a sua estrutura cristalina. Método EDAX TSL • Operador indica posição provável do ponto PC. • Sistema faz um ajuste fino baseado nas posições dos pólos dos padrão. • Exige conhecimento da estrutura cristalina da amostra. 28 14 12-03-2010 3. Proc. experimentais: Preparação de amostras Obtenção de superfície plana preservando a sua estrutura cristalina • Preparação mecânica • Fractura ou clivagem • Polimento mecânico Acabamento final de superfícies • Polimento químico • Polimento electrolítico • Polimento iónico 29 3. Proc. experimentais: Preparação de amostras SiC #320 Diam 9µm OP OP--S SiC #1200 Diam 1µm Diam 1µm Imagens de SEM obtidas nas fases de desbaste e polimento de uma amostra de Cu 30 15 12-03-2010 3. Proc. experimentais: Preparação de amostras Adaptação de sistema IBD para Polimento Iónico 31 3. Proc. experimentais: Preparação de amostras Adaptação de sistema IBD para Polimento Iónico 32 16 12-03-2010 3. Proc. experimentais: Preparação de amostras 33 3. Proc. experimentais: Preparação de amostras Imagens topográficas (AFM) da superfície de uma amostra de Cu Superfície de Cu após polimento em suspensão de sílica coloidal (50 nm) Superfície da mesma amostra após 30 min de polimento iónico 34 17 12-03-2010 3. Proc. experimentais: Montagem das amostras Montagem das amostras D = 12.5mm D = 25mm Suportes pré-inclinados - Capacidade: 2 amostras - Pré-inclinação: 70º - Inclui gaiola de Faraday - Altura: 64 mm - Capacidade: 1 amostra - Pré-inclinação: 45º - Altura: 31 mm 35 3. Proc. experimentais: Suportes Pré-inclinados Imagens do sistema com suportes pré-inclinados Utilização de suportes pré-inclinados: • Melhora a operacionalidade do sistema • Reduz a amplitude de movimentos do stage • Diminui o risco de danificar elementos no interior da câmara 36 18 12-03-2010 3. Proc. experimentais: Suportes Pré-inclinados Imagem do sistema sem suporte pré-inclinado • Suporte sem pré-inclinação permite o movimento de rotação da amostra 37 Resumo 1. Introdução e Objectivos 2. Fundamentos da técnica EBSD (SEM: Radiações de interesse para EBSD; Padrões de Kikuchi) 3. Procedimentos experimentais (Sistema EBSD do CEMUP; Condições experimentais; Preparação de amostras; Calibração do sistema) 4. Métodos de análise (Análise pontual da fase; Análise OIM) 5. Limitações e Causas de erro (Resolução espacial; Topografia da amostra; Composição química; Pseudosimetria; BD cristalografia) 6. Conclusões 38 19 12-03-2010 Métodos de análise: Identificação pontual da fase Método de análise pontual referenciada a uma imagem de SEM Ajuste das Condições Experimentais (SEM) Identificação da Composição química (EDS) Captura e Indexação dos Padrões EBSD (EBSD) • Determinação da composição química (EDS) • Caracterização pontual da estrutura cristalina Fase cristalina • Determinação dos parâmetros de rede • Determinação da orientação do cristal no referencial da amostra 39 Métodos de análise: Identificação pontual da fase 40 20 12-03-2010 Métodos de análise: Identificação pontual da fase P1 P2 41 Métodos de análise: Identificação pontual da fase Ponto P1 Composição química1 Sistema Ponto P2 Cu0.64Zn0.36 cristalográfico2 Cúbico Bravais2 Cúbica de faces centradas Rede de Grupo de simetria espacial2 Parâmetro de rede3 Parâmetro de F m -3 m 3.32 Å rede2 3.66 Å 3.696 Å Orientação3 Referencial da amostra Âng. Euler: (ϕ ϕ1, Φ, ϕ2) 180.8º, 151.1º, 230.3º 335.5º, 127.8º, 333.3º 1 Obtido por EDS e confirmado pela base de dados Retirado da base de dados 3 Obtido por EBSD 2 42 21 12-03-2010 Métodos de análise: Orientation Imaging Microscopy (OIM) Aquisição massiva de dados de forma automática • Aquisição e indexação automática numa área extensa de análise • Permite caracterização de propriedades estruturais do material (microestrutura) • Tipos de varrimento: “Beam scan” ou “Stage Scan” • Possibilidade de re-indexação posterior 43 OIM: Resultados experimentais Grãos Fracção de área Fases OIM Nº de vizinhos Fracção de área Nº de fases vizinhas Morfologia Orientações Relações entre vizinhos (Desorientação) Desorientação Intragranular Intra-grão Fronteiras de Grão Extensão Fragmentação Extensão de fronteiras Deformações na Rede Tensões 44 22 12-03-2010 OIM: Análise e Apresentação de resultados Caracterização de Grãos de Fronteiras de Grão Mapa de grão obtido para uma amostra de latão. 45 OIM: Análise e Apresentação de resultados Caracterização de Grãos de Fronteiras de Grão Mapa de grão identificado por cor (AT=5º), com perfil de desorientação relativa no interior do grão assinalado no canto inferior direito 46 23 12-03-2010 OIM: Análise e Apresentação de resultados Caracterização de Grãos de Fronteiras de Grão Mapa de grão obtido para uma amostra de latão. 47 OIM: Caracterização de Grãos e Fronteiras de grão Amostra de Al laminado - EDAX Imagem dos grãos codificados por cor. Distribuição de orientações medidas em relação à horizontal da imagem (esq) e no sentido dos ponteiros do relógio. 48 24 12-03-2010 OIM: Caracterização de Grãos e Fronteiras de grão Amostra de Al laminado - EDAX Imagem dos grãos codificados por cor. Distribuição da desorientação média entre pontos pertencentes ao mesmo grão. 49 OIM: Caracterização de Grãos e Fronteiras de grão Amostra de Al laminado - EDAX Imagem dos grãos codificados por cor. Distribuição de forma dos grãos (eixo menor/eixo maior). 50 25 12-03-2010 OIM: Caracterização de Grãos e Fronteiras de grão Amostra de Latão Realce dos pontos da imagem com desorientação codificada em escala de cor (0º azul até 15º a vermelho). 51 OIM: Caracterização de Texturas Amostra de Latão Figuras de pólos discreta (esq.) e contínua (dir.) para a direcção cristalográfica <111>, numa amostra de Al produzido por laminagem 52 26 12-03-2010 Resumo 1. Introdução e Objectivos 2. Fundamentos da técnica EBSD (SEM: Radiações de interesse para EBSD; Padrões de Kikuchi) 3. Procedimentos experimentais (Sistema EBSD do CEMUP; Condições experimentais; Preparação de amostras; Calibração do sistema) 4. Métodos de análise (Análise pontual da fase; Análise OIM) 5. Limitações e Causas de erro (Resolução espacial; Topografia da amostra; Composição química; Pseudosimetria; BD cristalografia) 6. Conclusões 53 Resolução espacial • Padrão EBSD resulta dos ER emitidos no volume útil de emissão • Dimensão e forma do volume útil de emissão varia com a tensão de aceleração • A existência de mais do que uma estrutura cristalina no volume útil de emissão origina sobreposição de padrões (necessário desconvoluir) • Resolução da ordem de 50 nm 54 27 12-03-2010 Limitações e Causas de erro Topografia da amostra • Efeitos de sombra provocados pela topografia da amostra. Composição química (EDS) • Por EDS não são detectados os elementos H, He, Li, e é pouco sensível ao Be, B e N. • Nas condições experimentais típicas de EBSD (amostra inclinada) a análise EDS é menos rigorosa. • Dificuldade de obter a composição química com rigor. Pseudo-simetria dos padrões • Erros na distinção de simetrias de rotação de ordem n com simetrias de ordem 2n • Parâmetros de rede próximos entre estruturas semelhantes (p. ex. tetragonal e ortorrômbico) podem resultar em padrões indistinguíveis. 55 Limitações e Causas de erro Bases de Dados de cristalografia para EBSD • Geralmente adaptadas da difracção de raios-X • Ineficazes para materiais novos (situação frequente em investigação!) Base de Dados Número de fases ICDD (versão PDF4+/2009) Área 291 440 (International Center for Diffraction Data) Geral 186 107 (versão PDF2/2006) ICSD (International Crystal Structure Database) AMCS (American Mineralogist Crystal Structure Database) EDAX TSL 89 064 (versão de 2006) Geral 13 900 Mineralogia 302 Geral 56 28 12-03-2010 Bibliografia A. Schwartz, M. Kumar, B. Adams, “Electron Backscatter Diffraction in Materials Science”, Kluwer Academic/Plenum Publishers (2000) A. Schwartz, M. Kumar, B. Adams, “Electron Backscatter Diffraction in Materials Science”, 2nd Ed, Springer (2009) O. Engler, V. Randle, “Introduction to Texture Analysis: Macrotexture, Microtexture and Orientation Mapping”, 2nd Ed, CRC Press, Taylor & Francis Group (2009) 57 Conclusão Caracterização de materiais por EBSD • Está associada ao Microscópio Electrónico de Varrimento • Adequa-se ao estudo de praticamente todos os materiais compatíveis com SEM • Permite caracterizar a fase (composição + estrutura cristalina) e orientação relativamente à amostra • Elevada resolução espacial de 50nm, mas pouco rigor na determinação de parâmetros de rede Operacionalização do sistema EDAX (CEMUP) • Foi feita uma revisão dos fundamentos considerados necessários e suficientes para a compreensão da técnica, assim como da análise e interpretação dos resultados. • Testaram-se os principais métodos de preparação de amostras para EBSD • Foram revistos os modos de operação do equipamento, e sistematizados os procedimentos de análise EBSD. 58 29
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